具有固态硅雪崩技术和低泄漏电流。

该器件执行布尔函数Y = A × B或Y = A + B正逻辑。

用于驱动高侧和低侧n沟道mosfet的高压栅极驱动器。

模拟前端用于汽车/工业应用中的非接触式、电感式位置传感器。

该器件是一种高电流高性能LED矩阵驱动器。

设计为无缝连接，提高配合操作性。

该器件是一个直接驱动版本，支持18个LED点或6个RGB LED。

从高输入电压源或从受高压瞬变影响的输入轨进行调节。

该器件集成了8个mosfet，最多可用于144个LED点或48个RGB LED。

该器件集成了6个mosfet，最多可用于108个LED点或36个RGB LED。

实现高达48MHz的CPU工作频率和灵活的应用加速器(FAA)。

专为各种应用，重点是印刷电路板。

具有快速反向恢复时间，适合自动组装。