采用硅雪崩技术的0201 DFN-2封装提供高ESD保护。

为高速串行接口提供单向ESD保护。

设计用于保护低电压-0.3V到+0.3V的数据线，极低的击穿/接通电压。

每个设备包含8个d型锁存器，所有输入都包括施密特触发器结构。

LT8333电流型DC-DC变换器演示平台。

具有Sensirion SDP31-500PA高度通用差压传感器。

允许快速开发多媒体和以gui为中心的应用程序。

门驱动器设计用于工作于2.7V至28V宽电压线的外部n沟道mosfet。

安装在一个TO247PLUS包中，设计用于主逆变系统。

基于AIROC CYW43439芯片组的具有两个认证模块版本的系统包(SIP)。

可承受300VAC浪涌输入长达5s，提供高达350%的峰值功率能力(300% 150W)。

旨在演示MP2696B开关模式电池充电器系统的功能。

采用3D NAND技术架构，为全闪存阵列提供优化的性能和容量。