据美国报道，以色列科学家提出了一种新型集成光子回路制备技术——在微芯片上使用闪存技术，有望使体型更小、运行速度更快的光子芯片成为现实，运算频率达太赫兹量级，从而将计算机和相关通信设备的运行速度提高100倍。

今天东芝、西数一起宣布他们位于日本四日市三重县的Fab 6工厂正式启用，配套的闪存研发中心今年3月份已经运转了，新的研发及生产中心重点就是96层堆栈3D NAND闪存，QLC闪存也将是重点，该工厂投产意味着东芝/西数的3D闪存产能进一步提速。

Alliance Memory M45PEx NOR闪存设备是具有字节可变性和75MHz SPI总线接口的页面可擦除串行闪存。可以通过高速SPI兼容总线访问这些存储设备。

GigaDevice GD9F并行NAND闪存提供高容量存储和性能。这使得这些设备成为移动设备、机顶盒、数据卡、电视等上的多媒体数据存储应用程序的理想选择。特性电力供应1.8V: 1.7V ~ 1.95V3.0V: 2.7V ~ 3.6V页...

随着5G、自动驾驶、AI等场景发展对存储的需求大幅增加，闪存大厂都在存储密度、堆叠技术等方面进行迭代，同时，NAND Flash价格的大幅下滑也令技术更新诉求更为迫切。

有媒体报道，长江存储计划在今年年底前开始量产64层3D闪存，并规划在明年转向128层3D闪存量产。

赛普拉斯半导体公司宣布全球汽车零部件及系统供应商电装 (DENSO) 公司采用赛普拉斯Traveo 车用 MCU 系列和 FL-S Serial NOR 闪存,为丰田2017 款凯美瑞汽车仪表盘提供先进的图形显示功能。电装 (DENSO) 仪表盘选用业界首款具有3D显示能力的Traveo仪表盘 M...

Alliance Memory J3系列Numonyx 嵌入式闪存利用高质量和可靠的基于nor65nm技术提供改进的性能和安全特性。这些闪存提供75ns的初始访问速度，25ns 8字异步页面模式读取，以及1.41μs /字节的有效编程时间。J3闪存功能增强的安全选...

Adesto Technologies AT25PE16系列串行闪存是16mbit DataFlash-L，最小2.3V或2.5V，串行接口顺序访问页擦除内存。这个AT25PE16系列设备具有17,301,504位内存，组织为4,096页，...

Alliance Memory P30微米并行NOR闪存嵌入内存在更小的空间提供更大的密度，高速接口设备，并支持代码和数据存储。这些存储设备具有高性能的同步突发读模式、快速的异步访问时间、低功耗、灵活的安全选项和三种行业标准包选择。p30nor闪存嵌入式存储器设备...