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功能自动刷新和自刷新模式和双向数据频闪每字节的数据(DQS)。
采用单芯片MMC控制器和NAND闪存的紧凑存储解决方案。
具有x8总线宽度和所有密度的引脚兼容性的Nand接口。
Alliance Memory P30微米并行NOR闪存嵌入内存在更小的空间提供更大的密度,高速接口设备,并支持代码和数据存储。这些存储设备具有高性能的同步突发读模式、快速的异步访问时间、低功耗、灵活的安全选项和三种行业标准包选择。p30nor闪存嵌入式存储器设备...
Alliance Memory AS4C64M32MD1A-5BIN 2Gb LPDR SDRAM是一个由4个银行x 16M x 32组成的移动DDR DRAM。AS4C64M32MD1A-5BIN SDRAM是为高性能和低功耗工作而设计的...
Alliance Memory J3系列Numonyx 嵌入式闪存利用高质量和可靠的基于nor65nm技术提供改进的性能和安全特性。这些闪存提供75ns的初始访问速度,25ns 8字异步页面模式读取,以及1.41μs /字节的有效编程时间。J3闪存功能增强的安全选...
Alliance Memory AS29CF010-55CCIN统一扇区闪存是一种5V内存,组织为131072字节,每个8位。该闪存将128KB的数据划分为4个扇区,具有灵活的扇区擦除能力。AS29CF010-55CCIN闪存使用引脚I/O (0) I / O (...
Alliance Memory低功耗异步静态随机存取存储器(SRAM)器件采用高性能、高可靠性CMOS技术。Alliance Memory CMOS SRAM设备专为低功耗应用而设计,特别适合电池备份非易失性内存应用。AS6C8008是一个8,388,608位...
Alliance Memory AS29CF160x-55TIN并行NOR闪存组织为2,097,152字节的8位或1,048,576字的16位每个。这些存储器使用pin I/O (0) I / O (7)用于8位数据和引脚I/O (0) I / O (15)用于...
Alliance Memory AS29CF800x-55TIN并行NOR闪存是8Mbit, 5V内存,组织为1,048,576字节的8位或524,288字的16位。这些存储器使用pin I/O (0) I / O (7)用于8位数据和引脚I/O (0) I / O (1...
Alliance Memory N25Q0x SPI NOR闪存设备是基于65nm NOR技术制造的高性能多输入/输出串行闪存。这些内存设备具有就地执行(XIP)功能、高速spi兼容总线接口和高级写保护机制。N25Q0x NOR闪存设备可以将读取和程序操作的传输带...
Alliance Memory MT41x DDR3 sdram使用双数据速率体系结构,接口在I/O引脚上每个时钟周期传输两个数据字。MT41x DDR3的双数据速率架构采用8n预取架构,实现高速运行。这些sdram从CK和CK#差分时钟输入进行操作。MT41x ...
将高达133MHz的快速读取性能与快速程序和擦除时间相结合的内存设备。
Alliance Memory M45PEx NOR闪存设备是具有字节可变性和75MHz SPI总线接口的页可擦串行闪存。这些内存设备可以通过高速spi兼容总线访问。M45PEx NOR flash利用页写或页程序指令一次写或程序1字节到256bytes。页写指令...
Alliance Memory DDR2 SDRAM是按照DDR2 SDRAM的关键特性设计的。一些特性,比如带有附加延迟的发布CAS#、写延迟=读延迟-1和死后终止(ODT)。所有的控制和地址输入都用一对外部提供的差分钟同步。输入锁存在差...
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