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安森美半导体NTTFSxD1N0xHL N沟道的PowerTrench MOSFET的使用高性能的屏蔽栅极MOSFET技术极低R DS(ON)。这些单通道MOSFET具有低开关噪声/ EMI和经过100%UIL测试的MSL1坚固封装设计。
小型WLCSP和无铅DFN包用于移动和便携式应用。
在标准TO封装中提供第四代E系列技术。
IXYS的mosfet提供超低通态电阻和dv/dt坚固性
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