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特性40V VDSS,±3.5A ID, 46毫欧低导通电阻(RDS(on)), 1W功耗(PD)。
特性VDSS 60V,±15.a ID, 38毫欧低导通电阻(RDS(on)), 14W功耗。
高可靠性部件采用动力模式结构设计。
1Mbit低电流消耗串行EEPROM,具有高耐用性和高速写入周期。
检测0.9V至5V电压范围,增量0.1V,最高工作温度85℃。
HTSOP-J8封装中带有外部PWM控制的1通道h桥驱动IC。
专为电池供电和便携式设备和传感器放大器。
擅长工业设备市场。
输入/输出轨道到轨道CMOS运算放大器,工作电压范围为4V到14V。
在小的DFN1616包中提供低通电阻。
具有超低开关损耗和大电流过载能力。
设计使用BD62130AEFJ, BD62120AEFJ和BD62110AEFJ直流刷电机驱动器。
在一个小的SMT SOP8封装中具有两个40V或60V mosfet,低导通电阻。
具有低红外、高可靠性和硅外延平面结构的阴极普通二极管。
BM1383AGLV压力传感器IC是一个压阻式压力传感器,为MEMS芯片提供温度补偿,让压力信息很容易获得。BM1383AGLV-EVK-001评估套件包括一个评估板和一个USB电缆。BM1383AGLV-EVK-001评估板连接PC机后,...
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