为汽车系统提供广泛的产品组合和解决方案。

单n沟道MOSFET高压负载开关，具有34V可变击穿电压。

ROHM Semiconductor RFx30TZ6S和RFx60TZ6S超快速恢复二极管是硅外延平面二极管，提供峰值反向电压650V和整流正向电流范围从30A到60A。

AEC-Q101合格齐纳二极管优化汽车电压调节。

具有宽共模电压范围从-0.2V至26V和±1%(最大)增益精度。

ROHM的BD91N01NUX集成了USB Type-C CC检测，包括插头连接，分离，方向，以及电源接收器侧端口的电流值。

发射宽度窄，能量转换效率高。

阴极普通双型低VF二极管与40V反向直接电压在D²PAK或DPAK封装。

具有超低开关损耗，外延平面型，适用于一般整流。

单通道，500mA LDO，输出电压精度±1.0%，低33µA电流消耗。

具有低正向电压和低开关损耗的硅外延平面二极管。

具有低VF、高可靠性和硅外延平面结构的阴极共极二极管。

由栅极驱动器、引导二极管、igbt和飞轮二极管组成。

采用硅外延平面型结构制造，提供低VF和高可靠性。