电子元器件产业互联网平台
一站式电子元器件采购平台
元器件移动商城,随时随地采购
半导体行业观察第一站!
专注电子产业链,坚持深度原创
电子元器件原材料采购信息平台
允许显示数字、字符和符号的十四段数字。
允许控制和保护大多数基于SiC mosfet的电力系统。
输入电压范围3.0V至5.5V,输出电压范围0.5V至1.275V。
具有dsPIC33CK512MP608 80针TQFP器件。
三相逆变器参考设计,基于GD3160栅极驱动,设计用于HP驱动IGBT模块。
使用Transphorm公司第四代平台的正常关闭设备。
Microchip系列SiC肖特基势垒二极管(SBD)器件的一部分。
采用东芝半导体TB67S539FTG两相双极步进电机驱动。
覆盖常见的4G、5G频段,包括B71、LTE 700、GSM850、GSM900、DCS1800、LTE B40、5G B78。
针对高性能、低待机功率和低成本的离线反激变换器进行了优化。
组装和测试的PCB,旨在演示MAX20011C降压转换器的能力。
额定温度+155°C,屏蔽结构,DC/DC储能高达10MHz。
可以运行在电源电路旁边,具有PoE能力,并在苛刻的使用中延长寿命。
Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线:400-830-6691 粤ICP备05106676号 经营许可证:粤B2-20210308
登录
请问您是:
采购商 工程师 在校学生 其他
您希望看到什么内容:
电子资讯 技术文章 PDF资料 电子论文 其他