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确定天线特性的唯一方法是测量它,因为理论本身不能预测实际结果。天线产生的场非常复杂,因为它们与环境中的一切相互作用。
操作与CV和CC限制过流保护非线性负载。
具有各种连接和安装标准,包括面板/ din安装外壳。
驱动三相应用的集成解决方案。
具有简单的布局,允许通过测试点访问适当的信号。
240毫欧氮化镓(GaN)正常关闭器件,采用8x8 PQFN封装。
结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET。
具有简单的布局,并允许通过测试点访问适当的信号。
50毫欧氮化镓(GaN)正常关闭器件,采用4引线TO-247封装。
提供额定功率从30W到330W,可在壁挂式和桌面版本。
提供高隔离,并设计为IGBT或SiC栅极驱动器供电。
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