安森美半导体NTD360N80S3Z SuperFET III MOSFET用于回扫转换器，使更低的开关损耗和外壳温度的初级开关优化。该MOSFET内置一个齐纳二极管，可改善ESD能力。

安森美半导体NTDS015N15MC屏蔽栅的PowerTrench MOSFET是被设计以减少导通状态电阻，并保持良好的开关性能的N沟道MOSFET。该MOSFET具有150V的漏-源电压（V DSS），15mΩ的最大漏-源电阻（RDS（on））（在10V时）和50A的漏电流（I D）。

与硅相比，安森美半导体NTHL080N120SC1A N沟道MOSFET具有出色的开关性能和更高的可靠性。该MOSFET具有低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和栅极电荷。

Amphenol Industrial PowerLok G2重型电源连接器采用RADSOK?接触技术，工作电流为60A至600A。Amphenol Industrial PowerLok G2连接器提供了带有连接位置辅助（CPA）的快速锁定杆以及集成了高压互锁（HVIL）的插座外壳，可实现高振动。

Vishay T50 vPolyTan聚合物芯片电容器专为高温和高湿度应用而设计。超低ESR电容器的电容范围为10μF至330μF，电压范围为2.5V DC至35V DC，公差为±20％。

稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。 稳压二极管，是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件，基本结构与普通二极管一样，也有一个PN结。

变容二极管主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等，目前变容二极管已广泛应用在彩色电视机、调频接收机和各种通信设备中。除此之外，还可用变容二极管实现调频、扫描震荡、频率自动微调及相位控制等多种用途。

雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离，和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件;在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。由于雪崩二极管具有功率大、效率高等优点，而且是固体微波源，特别是毫米波发射源的主要功率器件，因此广泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中。

LM358是双运算放大器。内部包括有两个独立的、高增益、内部频率补偿的运算放大器，适合于电源电压范围很宽的单电源使用，也适用于双电源工作模式，在推荐的工作条件下，电源电流与电源电压无关。

Bussmann / Eaton MFB多层铁氧体磁珠可在各种高频应用中提供广泛的高阻抗性能。铁氧体磁珠有多种行业标准尺寸，其设计旨在最大程度地减小对EMI敏感的应用中的高频电噪声。

Molex L1NK 300连接器系统是线对板系统，可在3.00mm的间距内提供高达11.0A的电流。Molex L1NK 300连接器提供了出色的设计选择，以实现灵活性和高效组装。

TE Connectivity的小型WLAN天线提供2400MHz至7125MHz的频率范围，50Ω的阻抗额定值和高达80％的效率。这些天线具有背胶，可简化FPC或PCB在设备内的安装。

Cincon CQB50W8 50W隔离式DC-DC转换器以行业标准的四分之一砖尺寸提供高达91％的效率。这些模块在12V DC，15V DC，24V DC，28V DC，48V DC的单输出电压下提供50W的输出功率。