onsemi的STR-NCV8164A-DFNW8-GEVB NCV8164A可调LDO, DFNW8包装评估板

80V, 20毫欧和30A单n沟道MOSFET采用紧凑高效的设计。

SPI低压eeprom是汽车级1级器件，内部组织为1K/2K/4K/8Kx8位。

具有高电流和高性能的独立IGBT驱动器，适用于高功率应用。

具有零漂移架构，可实现电压降低至10mV的电流传感。

防止高速数据线的静电放电。

onsemi的NCS21671系列电流检测放大器在-0.1 V至40 V共模电压下测量分流器上的电压，与电源电压无关。

具有低RDS(on)，确保高效的电源管理。

Dev Board是SECO-MDK-4KW-65SPM31-GEVK电机开发工具包(MDK)的一部分。

低排放电力提供安全、可持续的供暖。

在F1模块中包含一个10Mohm 1200V SiC MOSFET半桥和一个NTC热敏电阻。

由一个独立的高侧门驱动器、LVIC、六个IGBT和一个温度传感器组成。

onsemi的临界导通模式(CRM)控制器适用于包括各种电源的应用

支持Standard (100kHz)， Fast (400KHz)或Fast- plus (1MHz) I2C协议的汽车eeprom。

由两个40毫欧/1200V SiC mosfet和两个40A/1200V SiC二极管组成。