由两个8位配置和输入、输出和极性反转寄存器组成。

功能两个6毫欧 1200V SiC MOSFET开关和一个热敏电阻在一个F2封装。

适合设计高性能离线电源转换器。

Strata使USB PD 3.0自适应源充电控制器板，提供了一个易于使用的UI。

SPI低压eeprom是汽车级1级器件，内部组织为1K/2K/4K/8Kx8位。

监控当前消耗的设备，为安全和诊断提供关键信息。

onsemi的NCP189线性稳压器拥有超低噪音，确保敏感电路完美无缺。

用于1节锂离子/聚合物电池，Smart LiB Gauge家族的一部分。

mosfet具有低RDS(ON)、超低Qg和低Qg × RDS(ON)，一个关键的优点(FOM)。

采用低栅电荷(QG)和电容设计，使驱动器损耗最小化。

在频率范围高达750kHz的宽输出条件下提供宽调光范围操作。

具有较低的Qrr和较软的恢复体二极管，以确保有效的能源管理。

1200V M3S平面EliteSiC MOSFET设计用于快速开关应用。

评估NIS6350可复位保险丝，提高了USB应用的可靠性。

碳化硅(SiC) MOSFET采用了一种全新的技术，与硅相比提供了优越的开关性能和高可靠性。