支持最小3A负载电流的恒定导通(COT)降压转换器。

具有8MHz增益带宽和低500µa静态电流的放大器。

采用低栅电荷(QG)和电容设计，使驱动器损耗最小化。

全保护单通道高侧驱动器切换负载。

是1200V M3S平面SiC mosfet系列。

CCM/CrM-CCM PFC控制器优化驱动无桥图腾柱PFC拓扑。

保护24V设计中的CAN收发器免受ESD和其他有害的浪涌保护事件的影响。

采用先进的动力槽工艺生产，并结合屏蔽栅技术。

工作电压为1.65V ~ 5.5V，工作温度范围为-55℃~ +125℃。

mosfet具有低RDS(ON)、超低Qg和低Qg × RDS(ON)，一个关键的优点(FOM)。

设计用于与RSL15软件开发工具包。

由两个8位配置和输入、输出和极性反转寄存器组成。

碳化硅(SiC) MOSFET采用了一种全新的技术，与硅相比提供了优越的开关性能和高可靠性。

在紧凑和兼容的封装中提供改进的性能、效率和功率密度。