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提供优于硅的开关性能和更高的可靠性。
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配备先进的第七代IGBT技术。
基于AXM0F343超低功耗无线SoC的256KB版本的915MHz开发平台。
由两个40毫欧/1200V SiC mosfet和两个40A/1200V SiC二极管组成。
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