在频率范围高达750kHz的宽输出条件下提供宽调光范围操作。

用于通用逻辑应用的先进高速CMOS多功能门。

采用低栅电荷(QG)和电容设计，使驱动器损耗最小化。

1200V M3S平面EliteSiC MOSFET设计用于快速开关应用。

碳化硅(SiC) MOSFET采用了一种全新的技术，与硅相比提供了优越的开关性能和高可靠性。

onsemi NCN26010工业以太网收发器是一个10Mb/s, IEEE 802.3 g兼容设备，包括MAC、PLCA RS和10BASE-T1S PHY。

8V-60V, 10A eFuses(每通道2.5A)在5mm x 6mm封装中包含4个独立通道。

全保护单通道高侧驱动器切换负载。

是1200V M3S平面SiC mosfet系列。

CCM/CrM-CCM PFC控制器优化驱动无桥图腾柱PFC拓扑。

组织为128Kx8位，支持SPI协议，并具有256字节的页面写缓冲区。

保护24V设计中的CAN收发器免受ESD和其他有害的浪涌保护事件的影响。

采用先进的动力槽工艺生产，并结合屏蔽栅技术。

汽车(AEC-Q100)栅极驱动器适用于驱动高达110V的高速功率mosfet。