本文详细介绍了场效应管的使用注意事项。

ON Semiconductor提供适合汽车应用的NVxFS5CxxxN功率场效应管

[导读] 自偏压电路 自偏压用于结型和耗尽型MOS管放大电路，图5.2-6示出N沟道结型场效应管自偏电路。

MCC扩展了他们的功率和小信号mosfet的产品，用于各种应用

场效应管IRF3205中文资料介绍：规格参数、特点、应用领域、引脚图、封装、替代型号、及应用电路图（大功率方波逆变器电路图、 MOSFET驱动电路图）。IRF3205是一个高电流N沟道MOSFET能够切换电流高达110A和55V。MOSFET的特长在于它的导通电阻非常低，仅为8.0mΩ，使其适用于诸如逆变器，电机速度控制，DC-DC转换器等开关电路。它还是一种易于获得且价格低廉的MOSFET。

[导读] 不需要场效应管的多路传输开关

Broadcom的R2耦合器提供加强绝缘，在汽车和高温工业应用中提供至关重要的安全信号隔离

EPC的80v eGaN FET是更小、更轻、更平稳的电机驱动设计的理想选择

提供650V漏源极电压，47.2A漏源额定电流和41毫欧最大电阻。

场效应晶体管，简称场效应管，它是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，可应用于放大、可变电阻等作用。场效应晶体管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应晶体管集成在一块硅片上，使得它在大规模集成电路中得到了广泛的应用

对元器件行业有所了解的朋友相信对MOSFET这个词并不陌生，它是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor的英文缩写，看着是很长的一串单词也难识全，可以理解为金属氧化物合成半导体的场效应晶体管，我们通常也称它为MOS场效应管，也即金属-氧化物-半导体型场效应管，它是一种绝缘栅型。由于在它的金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，最高可达1015Ω。

EPC的40v, 3 毫欧 eGaN场效应管具有脉冲电流等级为161 a的小占地面积

Nexperia的LFPAK56D半桥mosfet提供了60%的低寄生电感和改善的热性能

IXYS的x级HiPerFET功率mosfet优化软开关谐振模式功率转换应用