威世半导体Vishay / Siliconix SiJA22DP N沟道25V MOSFET采用PowerPAK SO-8L封装，提供25V DS漏极-源极电压，并采用单一配置设计。

威世半导体Vishay / Siliconix SQJQ汽车MOSFET是N沟道TrenchFET功率MOSFET。这些经过AEC-Q101认证的MOSFET已通过100％Rg耐压测试和未钳位电感开关（UIS）。

威世半导体Vishay VBUS05M2-HT5 ESD保护二极管是双向且对称（BiSy）两线ESD保护器件，采用超紧凑的DFN1110-3A封装，非常适合便携式电子产品。

威世半导体Vishay / Vitramon VJ…32含铅表面处理MLCC是表面安装的多层陶瓷片式电容器，带有含铅结束处理。Vishay / Vitramon VJ…32 MLCC具有至少4％的铅锡/铅终止涂层。

威世半导体Vishay / Siliconix SUM40014M N通道40V MOSFET提供40V DS漏极-源极电压，单一配置和D 2 PAK封装。

威世半导体Vishay / Siliconix SQJB汽车MOSFET是双N沟道TrenchFET功率MOSFET。这些经过AEC-Q101认证的MOSFET已通过100％Rg耐压测试和未钳位电感开关（UIS）

威世的DG2788A 0.37欧姆的低阻和高338 MHz带宽在紧凑型miniQFN16包可以节省空间,提高信号的完整性；威世半导体Vishay推出了双DPDT / quad SPDT模拟开关，在2.6 mm x 1.8 mm x 0.55 mm miniQFN16封装中具有2.7 V低阻0.37欧姆。

威世半导体Vishay / Siliconix Si6423ADQ P通道20V MOSFET采用TSSOP-8封装，提供-20V的漏源电压和20mJ单脉冲雪崩能量等级。Si6423ADQ MOSFET具有单一配置设计，无卤素，符合RoHS要求，并经过100％R g和UIS测试。

威世半导体Vishay / BC Components NTCASCWE3C70001螺纹NTC热敏电阻由NTC陶瓷材料制成，焊接到电缆导体上并灌封在黄铜螺钉的头部。

威世半导体Vishay的SiC43x buck调节器家族是专门为消除外部组件而设计的。SiC43x系列使buck转换器的外部组件最小化。

具有I2C接口的威世半导体VCNL3036X01高分辨率数字接近传感器在一个小封装中集成了一个多路复用器和一个驱动器，可将多达3个外部IRED集成到驱动器中。VCNL3036X01传感器利用CMOS工艺将光电二极管，放大器和模数转换电路整合到单个芯片中。

威世半导体Vishay SiC450，SiC451和SiC453microBuck DC-DC转换器是兼容PMBus 1.3的非隔离式DC-DC降压稳压器，带有集成MOSFET。

威世半导体Vishay / Siliconix SiS890ADN N沟道100V MOSFET提供100V DC漏极-源极电压，40A脉冲漏极电流和单一配置。SiS890ADN MOSFET具有非常低R DS ×Q个克图的品质因数（FOM）

威世半导体Vishay / Siliconix SQJ汽车MOSFET是TrenchFET 第四代N沟道40V DS功率MOSFET。这些符合AEC-Q101标准的MOSFET经过100％R g的测试，并以小于1 Q gd / Q gs的比率测试了非钳位电感开关（UIS），从而优化了开关特性。

威世半导体Vishay / Siliconix Si4056ADY N沟道MOSFET采用SO-8封装，提供100V的漏极-源极电压额定值和40A的脉冲漏极电流。Si4056ADY MOSFET具有非常低的R DS x Qg品质因数（FOM），并且已针对最低的R DS x Q oss FOM进行了调整。