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在一个小封装中高度集成的电路保护和电源管理解决方案。
设备提供高效、灵活、高功率密度的解决方案。
由一个红外发射二极管光耦合到一个光mosfet在一个SO16L-T封装。
高操作温度适用性&高热转换率,适用于大间隙尺寸。
±0.3mm厚宽公差,1mm ~ 9.8mm厚,-40℃~ +80℃温度范围。
4位双电源非反相定向电压电平平移装置。
三输出DC/DC开关调节器,驱动所有n通道功率MOSFET级。
包括AEM30330及其4个无源组件和跳线,便于配置。
宽输入范围,用于boost, SEPIC和反激式拓扑的非同步升压变换器。
将直接以太网连接到运行速度高达1Gb/s的外围设备。
AEC-Q101合格的硅n沟道mosfet提供低漏源导通电阻。
适用于受保护的锂离子/锂锂电池或在独立应用中与固定直流电源一起使用。
评估Ag105微型锂离子充电控制器的潜在应用功能。
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