日前，一位LinkedIn领英资料上显示为三星前雇员的用户发表推文表示，三星可能已经完成其第二代NPU（神经处理单元）构架的搭建，将搭载Exynos 9820处理器。

作为第三代半导体材料，碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、临界击穿场强高、热导率高等优点，是制作高压、大功率半导体器件的理想材料。

电路交换（CS:circuit switching）是通信网中最早出现的一种交换方式，也是应用最普遍的一种交换方式，主要应用于电话通信网中，完成电话交换，已有100多年的历史。

一般GNDA和GND最终还是要连接在一起的，建议用一个绕线电感连接并且接点尽可能靠近芯片(电感最好放置在PCB背面)。

日前，晶圆代工大厂台积电宣布与最新成立的云端联盟的其他创始成员合作，包括亚马逊AWS、益华电脑、微软Azure和新思科技，共同支持后端芯片设计的在线服务。

根据市场研究公司IC Insights的调查报告，2018年中国无晶圆厂IC设计公司预计将占全球纯晶圆代工销售总额的19%，较2016年约9%与2017年约为13%的销售额更加成长。

近日，儒卓力(RutronikEletronischeBauelemente GmbH)和中国台湾制造商国巨公司就陶瓷电容器和电阻器的供应达成一项长期协议。因此，儒卓力可在2020年中期之前为客户确保这些组件的供应。

数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。

在7nm及以下节点上，台积电的进展是最快的，今年量产7nm不说，最快明年4月份就要试产5nm EUV工艺了，不过这个节点的投资花费也是惊人的，台积电投资250亿美元建厂，5nm芯片设计费用也要比7nm工艺提升50%。

陶瓷电容器是以陶瓷材料为介质的电容器的总称，品种繁多，外形尺寸相差甚大。按使用电压可分为高压，中压和低压陶瓷电容器。按温度系数，介电常数不同可分为负温度系数、正温度系数、零温度系数、高介电常数、低介电常数等。一般陶瓷电容器和其他电容器相比，具有使用温度较高，比容量大，耐潮湿性好，介质损耗较小，电容温度系数可在大范围内选择等优点。广泛用于电子电路中，用量十分可观。本文将介绍三种常见的陶瓷电容器及其特点。

我们知道，近年来内存价格上涨，让内存大厂三星赚得盆满钵满。而近段时间来内存价格有下降的趋势，但把利润摆在第一位的三星想扭转内存价格下滑的趋势，明年将对内存减少投资，以让内存处于供给相对紧张的局面，来维持内存的高价。