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Ramtron International Corporation(简称Ramtron)宣布,已经开始提供基于F-RAM的MaxArias无线存储器商用样片。Ramtron的 MaxArias系列无线存储器将非易失性F-RAM存储器技术的低功耗、高速度和高耐久性等特性与行业标准无线存取功能相结合,...
TMS-F231-160G是一款基于Camera Link接口设计的大存储容量、高传输带宽的固态存储系统。TMS-F231-160G采用业界先进的FPGA和ARM,具有启动快、功耗低、无噪音、工作温度范围宽、抗震性好等优点。系统能兼容Base/Medium两种配置的Camera Link接口,板载...
近期存储器产业步入景气向下循环,资料中心客户也呈现库存升高的调整期,继苹果日前下调财测后,三星电子(Samsung Electronics)也预告2018年第4季财报将不如预期,除了受到中国中国经济放缓影响外,全球存储器需求疲弱、服务器存储器拉货放缓也成为主要冲击因素之一。
存储器产业今年支出可能骤降45%,国际半导体产业协会(SEMI)预期,恐将连带影响今年全球晶圆厂设备支出滑落至484亿美元,减少19%。
张明 IS26KL256S HyperFlash 非易失性存储器是一个高速CMOS,镜像轨道 或闪存设备与HyperBus低信号计数双数据率(DDR)接口。这种非易失性存储器是一个3V的超闪存,密度为256Mb,速度为100MHz。IS...
包括赛普拉斯半导体公司和瑞萨电子公司(TSE: 6723)在内的QDR联盟日前宣布推出业界最快的四倍数据率(QDR) SRAM(静态随机存取存储器)。这些新型存储器将被命名为QDRII+ Xtreme并将以高达633兆赫兹(MHz)的时钟频率允许。这些器件将与现有的QDR II+器件在管脚、尺寸和...
全球领先的半导体设计、验证和制造软件及知识产权(IP)供应商新思科技有限公司(Synopsys, Inc., 纳斯达克股票市场代码:SNPS)日前宣布:即日起推出面向多种180纳米工艺技术的DesignWare? AEON?非易失性存储器(NVM)知识产权(IP)。这些产品包括数次可编程(FTP)...
先前NAND Flash受到东芝存储器工厂停电事件影响供给,加上日本对关键半导体原料祭出限制令,韩国存储器业面临断料风险,据传最快本月开始减产NAND Flash并有意拉抬价格。
据韩国IT业和相关部门10日消息,今年截至上月底,韩国半导体贸易实现288.942亿美元顺差,较去年同期增长130%,甚至超出去年全年总和(256.172亿美元)。.学习集成电路知识,了解更多集成电路资讯,认准华强旗舰电子圈!
随机存取存储器(RAM)特点:包括DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取存储器),当关机或断电时,其中的 信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存(内存的主体部分),SRAM主要用于高速缓存存储器。
全球领先的全套互连产品供应商Molex公司宣布推出空气动力型DDR3 DIMM插座和超低侧高DDR3 DIMM存储器模块插座产品组合,两个产品系列均适用于电信、网络和存储系统、先进计算平台、工业控制和医...
德州仪器(TI)近日宣布推出业内首个完全集成的电源管理解决方案,该方案也是首个在汽车和工业应用中用于双倍数据速率 (DDR) 2、DDR3和DDR3L存储器子系统。TPS54116-Q1直流/直流降压转换器是一款输入电压为2.95-V至6-V的4-A同步降压转换器,配有1-A峰值反向/源电流DDR...
根据《CNBC》报道,研究公司盛博(Sanford C. Bernstein)分析师Mark Newman认为,日韩之间的贸易冲突有机会让价格已低迷将近一年的存储器芯片价格回温。
高速缓冲存储器(Cache)其原始意义是指存取速度比一般随机存取记忆体(RAM)来得快的一种RAM,一般而言它不像系统主记忆体那样使用DRAM技术,而使用昂贵但较快速的SRAM技术,也有快取记忆体的名称。
储存型快闪存储器(NAND Flash)报价急跌,使得下游价格甜蜜点浮现,加速采用NAND Flash的固态硬盘(SSD)在笔电和服务器渗透率快速拉升,也让威刚、群联等相关业者本季营运增温。
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