电路交换（CS:circuit switching）是通信网中最早出现的一种交换方式，也是应用最普遍的一种交换方式，主要应用于电话通信网中，完成电话交换，已有100多年的历史。

这篇文章消除了人们对低温下电池性能的担忧。本文详细介绍了在极端低温环境条件下可靠支持非易失性存储器(SRAM)所需的电流特性。

三星、西部数据、英特尔、美光、长江存储等全球存储业大咖共同探讨3D NAND技术的发展未来。我们来看看他们都说了什么。

全球领先的高速连接、频率与信号处理的芯片厂商Pericom日前宣布：推出一条包括三款全新的SATA3.0和SAS2.0 6Gbps ReDriver?的信号处理产品系列，其中包括业界最小单端口和四端口ReDriver产品。此外，这三款低耗能产品在1.2V电压下工作，每端口的运行功耗仅为100mW、...

Cypress Semiconductor S71KL512SC0超闪存和HyperRAM多芯片包结合了用于快速启动的高速NOR闪存和用于扩展暂存存储器的自刷新DRAM。S71KL512SCO封装在一个减少的足迹和低引脚计数包。这个完整的NOR Flash/DRAM存储...

日本三重县四日市日前发生停电意外，市场传出存储器大厂东芝半导体(TMC)当地营运的5座 NAND Flash工厂的营运中断，尽管东芝存储器尚未对外说明影响，但据传出，合作投资的威腾(WD)已通知客户可能无法按照原定时程出货。

提供1Mbit ~ 16Mbit的密度范围，低延迟，低功耗。

本应用笔记介绍了如何连接DS34S132 (32端口TDM-over-packet IC)与DDR3存储器芯片。DS34S132采用外部双数据速率(DDR)同步DRAM (或DDR1)存储器缓存数据。内存空间需提供足够的缓存区域，以支持256条伪线(PW)/绑订中每一伪线的256ms数据包延迟变化(PDV)，确保接收数据包的重新排序。

FLASH存储器接口电路图。

输出电容采用DDR存储电源IC可以进一步降低使用电压降。

6月22日消息，2019全国企业家活动日暨中国企业家年会今日在广西北海市隆重举行，北京大学信息科学技术学院副院长蔡一茂出席“第三届工业和信息化科技成果大会暨工业强基产业一条龙发展”论坛并发言。

ST推出一款创新型RFID电子标签芯片。通过这一新款产品，技术设备可提供详细的设备保养与维修信息，例如完整的检修记录，进而加快原始设备厂商（OEM）和设备运营商的检修速度，并简化设备工作记录。全新LRiS64K整合了射频识别（RFID）电路和大容量64-KbitEEPROM非易失性存储...

对于近期NAND Flash的状况，法人表示，NAND Flash厂已启动减产，报价有效止稳，使NAND Flash长达7季的跌价循环即将结束，认为2019下半年已无利空，且逐渐看到产业走向光明面。