惠瑞捷推出了全新的 HSM3G 高速存储器测试解决方案，进一步拓展了面向 DDR3世代主流存储器 IC 和更高级存储器件测试能力的 V93000 HSM 平台。V93000 HSM3G 独特的优势在于其未来的可升级性，能够为数据传输速度高达6.8 Gbps未来的三代 DDR 存储器提供价格低廉的测...

瑞萨电子株式会社(以下简称瑞萨电子)于2011年1月18日正式宣布推出5款面向网络设备的高速存储器产品576Mb(Mbit)低时延 DRAM，品名分别为μPD48576109、μPD48576118、μPD48576209、μPD48576218、μPD48576236。新产品将于即日起提供样品。...

NOR闪存提供商Spansion公司日前宣布将与飞思卡尔(Freescale)公司合作，针对飞思卡尔塔式系统(FreescaleTowerSystem)开发全新存储扩展模块。该模块为系统工程师在进行原型设计时提供更多灵活性，使其更好地应对不断扩展的嵌入式应用，包括工厂自动化、工业电脑、医疗设备、销...

世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布提供全新4至64Kb串口非易失性铁电 RAM (F...

东芝在“2010 Symposium on VLSI Technology”（2010年6月15～17日，美国夏威夷州檀香山）上，发布了采用09年开始量产的40nm工艺SoC的低电压SRAM技术。该技术为主要用于便携产品及消费类产品的低功耗工艺技术。通过控制晶体管阈值电压的经时变化，可抑制SRAM...

世界领先的低功耗铁电存储器宣布，其V系列产品线新增两款通过严格的AEC-Q100 Grade 3汽车等级认证的串口F-RAM器件。这两款产品的型号为FM24V01-G和FM25V01-G，是128 千位 (Kb)、高性能非易失性F-RAM存储器，在2.0至3.6V的宽工作电压范围内工作。这一严格的...

本文探讨如何利用MATLAB强大的指令功能改进高速数据采集系统中存储器受限的代码密度，提高程序代码的循环量，以满足高速模/数转换器(ADC)的INL、DNL测试需求。