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韩国半导体产业看似风光,虽然三星、SK海力士等存储器厂获利创新高,但在此同时,主要无厂IC设计业者上获利半年表现却不如去年,形成强烈对比。.学习集成电路知识,了解更多集成电路资讯,认准华强旗舰电子圈!
ST推出一款创新型RFID电子标签芯片。通过这一新款产品,技术设备可提供详细的设备保养与维修信息,例如完整的检修记录,进而加快原始设备厂商(OEM)和设备运营商的检修速度,并简化设备工作记录。全新LRiS64K整合了射频识别(RFID)电路和大容量64-KbitEEPROM非易失性存储...
世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布提供全新4至64Kb串口非易失性铁电 RAM (F...
源科推出的磐龙系列第一代XMC固态存储卡(RCV-I-MU3XX-XXX系列SolidStateStorageCard),按照VITA42标准设计,采用风冷散热的单卡形式,支持SLC和MLC...
而国内三大厂商在市场的内外夹击之下,在价格的振荡起伏之下,在新型技术山雨欲来之际,仍需加快修炼。
FLASH存储器接口电路图。
NOR闪存提供商Spansion公司日前宣布将与飞思卡尔(Freescale)公司合作,针对飞思卡尔塔式系统(FreescaleTowerSystem)开发全新存储扩展模块。该模块为系统工程师在进行原型设计时提供更多灵活性,使其更好地应对不断扩展的嵌入式应用,包括工厂自动化、工业电脑、医疗设备、销...
6月22日消息,2019全国企业家活动日暨中国企业家年会今日在广西北海市隆重举行,北京大学信息科学技术学院副院长蔡一茂出席“第三届工业和信息化科技成果大会暨工业强基产业一条龙发展”论坛并发言。
荷兰代尔夫特理工大学(Delft Unviersity of Technology)宣布,开发出了向1个原子分配1bit的存储芯片。试制的存储器尺寸为96nm×126nm。记录容量仅为1KB(8000bit),但记录密度据称达到500Tbit/平方英寸,为在售的已有HDD的约500倍。像算盘一样记...
盛群半导体最新推出HT82A824R USB Speaker OTP MCU,本产品整合USB 2.0 Full Speed Compatible SIE及符合微软WHQL要求的高性能數位类比转换器与功率放大器,更結合嵌入式微控制器,提供使用者便利的设计及生产制造平台。內建硬件的UART与丰富的硬...
ISSI 512Mbx8和256Mbx16 DDR4 SDRAM是高速动态随机存取存储器设备内部组织与八个银行设置。双数据速率4个同步动态随机存取存储器组分为两组,每组有4个动态随机存取存储器组。DDR4 SDRAM采用8n预取架构,实现高...
现在市面上存在NAND FLASH和eMMC这两种的大容量存储介质,就是各类移动终端及手机的主要存储介质。两者有何区别,存储芯片的实际大小与标称值又有什么关系呢?
华强旗舰-一站式电子元器件交易平台了解到:近期台积电技术长孙元成在其自家技术论坛中,首次揭露台积电研发多年的eMRAM(嵌入式磁阻式随机存取存储)和eRRAM(嵌入式电阻式存储器)将分别订于明后年进行风险性试产。预计试产主要采用22nm工艺。这种次世代存储将能够为物联网、行动装置、高速运算电脑和智能汽车等四领域所提供效能更快和耗电更低的存储效能。台积电此举让嵌入式存储器再度回到人们的视线中。
从现场给出的技术演示来看,4D闪存和此前长江存储的Xtacking十分相似,只不过外围电路(PUC,Peri.Circuits)在存储单元下方,好处有三点,一是芯片面积更小、二是处理工时缩短、三是成本降低。
瑞萨电子株式会社(以下简称瑞萨电子)于2011年1月18日正式宣布推出5款面向网络设备的高速存储器产品576Mb(Mbit)低时延 DRAM,品名分别为μPD48576109、μPD48576118、μPD48576209、μPD48576218、μPD48576236。新产品将于即日起提供样品。...
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