应用说明177是在PC平台上使用Dallas Semiconductor程序员进行原型设计的1线EPROM和EEPROM设备编程指南。

DRAM和NAND芯片的平均售价(ASP)将在今年第四季度持续下跌。该公司还预计，2019年这两类产品的平均售价与今年相比，也将会有大幅下降。

谷歌刚刚披露了攻击者利用动态随机存取存储器 (DRAM) 中存在的 Rowhammer 安全漏洞利用的新技术的发现。这种新策略涉及利用一些较新的 DRAM 芯片在存储单元相互交互方式方面的问题。

根据日本媒体《日刊工业新闻》报导，美国存储器大厂美光(Micron)延迟了在日本广岛的新厂投资计划。

本应用笔记讨论了使用NV SRAM与其他存储器类型(易失性和非易失性)(如EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等)及其在系统中的实现的利弊。

华强旗舰-一站式电子元器件交易平台了解到：近期台积电技术长孙元成在其自家技术论坛中，首次揭露台积电研发多年的eMRAM（嵌入式磁阻式随机存取存储）和eRRAM(嵌入式电阻式存储器)将分别订于明后年进行风险性试产。预计试产主要采用22nm工艺。这种次世代存储将能够为物联网、行动装置、高速运算电脑和智能汽车等四领域所提供效能更快和耗电更低的存储效能。台积电此举让嵌入式存储器再度回到人们的视线中。

从现场给出的技术演示来看，4D闪存和此前长江存储的Xtacking十分相似，只不过外围电路（PUC，Peri．Circuits）在存储单元下方，好处有三点，一是芯片面积更小、二是处理工时缩短、三是成本降低。

我们已经看过了一大堆柔性显示器了，但是没有柔性芯片。事实上，并不是没有人做过柔性存储器，只不过由于晶体管距离太近，互相之间开始干扰，造成性能的下降。另外，最致命的问题是，这种柔性存储器的寿命只有短短的一天。&nbs...

超高密度，非易失性存储器，平均读电流极小。