输出电容采用DDR存储电源IC可以进一步降低使用电压降。

现在市面上存在NAND FLASH和eMMC这两种的大容量存储介质，就是各类移动终端及手机的主要存储介质。两者有何区别，存储芯片的实际大小与标称值又有什么关系呢？

根据日本媒体《日刊工业新闻》报导，美国存储器大厂美光(Micron)延迟了在日本广岛的新厂投资计划。

ISSI 512Mbx8和256Mbx16 DDR4 SDRAM是高速动态随机存取存储器设备内部组织与八个银行设置。双数据速率4个同步动态随机存取存储器组分为两组，每组有4个动态随机存取存储器组。DDR4 SDRAM采用8n预取架构，实现高...

存储器市况从2018年下半杂音频传，中低阶产品饱受跌价压力，加速车用存储器市场成为高阶应用的兵家必争之地，吸引存储器供应链纷纷抢进车联网与自驾车商机。

华强旗舰-一站式电子元器件交易平台了解到：近期台积电技术长孙元成在其自家技术论坛中，首次揭露台积电研发多年的eMRAM（嵌入式磁阻式随机存取存储）和eRRAM(嵌入式电阻式存储器)将分别订于明后年进行风险性试产。预计试产主要采用22nm工艺。这种次世代存储将能够为物联网、行动装置、高速运算电脑和智能汽车等四领域所提供效能更快和耗电更低的存储效能。台积电此举让嵌入式存储器再度回到人们的视线中。

应用说明177是在PC平台上使用Dallas Semiconductor程序员进行原型设计的1线EPROM和EEPROM设备编程指南。

本应用笔记介绍了如何连接DS34S132 (32端口TDM-over-packet IC)与DDR3存储器芯片。DS34S132采用外部双数据速率(DDR)同步DRAM (或DDR1)存储器缓存数据。内存空间需提供足够的缓存区域，以支持256条伪线(PW)/绑订中每一伪线的256ms数据包延迟变化(PDV)，确保接收数据包的重新排序。

本应用笔记讨论了使用NV SRAM与其他存储器类型(易失性和非易失性)(如EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等)及其在系统中的实现的利弊。

本应用笔记概括了1-Wire 接口的应用，讨论了电源的传输以及数据位的通信方式、器件选择，每个芯片内部集成了不可更改的唯一ID。顾名思义，1-Wire单总线接口为需要减少连线的系统提供了一个无与伦比的解决方案。