我们已经看过了一大堆柔性显示器了，但是没有柔性芯片。事实上，并不是没有人做过柔性存储器，只不过由于晶体管距离太近，互相之间开始干扰，造成性能的下降。另外，最致命的问题是，这种柔性存储器的寿命只有短短的一天。&nbs...

PLC控制系统： 可编程逻辑控制器(PLC)，采用一类可编程的存储器，用于其内部存储程序，执行逻辑运算、顺序控制、定时、计数与算术操作等面向用户的指令，并通过数字或模拟式输入/输出控制各种类型的机械或生产过程。

根据日本媒体《日刊工业新闻》报导，美国存储器大厂美光(Micron)延迟了在日本广岛的新厂投资计划。

从现场给出的技术演示来看，4D闪存和此前长江存储的Xtacking十分相似，只不过外围电路（PUC，Peri．Circuits）在存储单元下方，好处有三点，一是芯片面积更小、二是处理工时缩短、三是成本降低。

应用说明177是在PC平台上使用Dallas Semiconductor程序员进行原型设计的1线EPROM和EEPROM设备编程指南。

本应用笔记讨论了使用NV SRAM与其他存储器类型(易失性和非易失性)(如EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等)及其在系统中的实现的利弊。

华强旗舰-一站式电子元器件交易平台了解到：近期台积电技术长孙元成在其自家技术论坛中，首次揭露台积电研发多年的eMRAM（嵌入式磁阻式随机存取存储）和eRRAM(嵌入式电阻式存储器)将分别订于明后年进行风险性试产。预计试产主要采用22nm工艺。这种次世代存储将能够为物联网、行动装置、高速运算电脑和智能汽车等四领域所提供效能更快和耗电更低的存储效能。台积电此举让嵌入式存储器再度回到人们的视线中。

现在市面上存在NAND FLASH和eMMC这两种的大容量存储介质，就是各类移动终端及手机的主要存储介质。两者有何区别，存储芯片的实际大小与标称值又有什么关系呢？

ISSI 512Mbx8和256Mbx16 DDR4 SDRAM是高速动态随机存取存储器设备内部组织与八个银行设置。双数据速率4个同步动态随机存取存储器组分为两组，每组有4个动态随机存取存储器组。DDR4 SDRAM采用8n预取架构，实现高...

超高密度，非易失性存储器，平均读电流极小。