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安派瑞电子型氮化镓场效应管提供卓越的开关性能,提高AC/DC和DC/AC功率转换效率,并显著节省空间和BOM。
Nexperia PXP0 p通道沟槽MOSFET是利用沟槽MOSFET技术的增强模式场效应晶体管(fet)。
共阴极配置中的超快开关时间双恢复整流器。
小电流AEC-Q101合格的电压调整二极管在一个紧凑的SOT23 (TO-236AB)封装。
可用于无铅超小DFN1006BD-2贴片封装,侧面可湿。
Nexperia NXT4556 SIM卡接口电平转换器设计用于将SIM卡与单个低压主机端接口连接。
设计用于将SIM卡与单个低压主机端接口连接。
提供超低的传导损耗和短路坚固性。
在标准的7针TO-263塑料封装中提供卓越的RDSon温度稳定性。
通用150V, 3.9毫欧氮化镓(GaN)场效应管VQFN封装。
5.5V负载开关设计用于高达2A的应用。
提供具有低电感/开关损耗和高可靠性的铜夹封装技术。
DFN0603 MOSFET是Nexperia DFN封装中最小的MOSFET,尺寸为0.63 mm x 0.33 mm x 0.25 mm
一种塑料,无铅超小轮廓包装,具有侧可湿侧翼(SWF)。
高功率密度,超快开关时间恢复整流器。
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