具有超低开关损耗，外延平面型，适用于一般整流。

单通道，500mA LDO，输出电压精度±1.0%，低33µA电流消耗。

具有低VF、高可靠性和硅外延平面结构的阴极共极二极管。

由栅极驱动器、引导二极管、igbt和飞轮二极管组成。

采用硅外延平面型结构制造，提供低VF和高可靠性。

表面贴装光电二极管理想的脉冲波传感应用。

ROHM Semiconductor BUxxJA2MNVX-C汽车全CMOS LDO稳压器是高性能，AEC-Q100合格的200mA输出低dropout稳压器。BUxxJA2MNVX-C LDO稳压器提供出色的噪声和负载响应特性，尽管他们...

符合aec - q101标准的汽车级mosfet，采用3.3mm x 3.3mm高功率封装。

ROHM Semiconductor SMLVN6RGBFU1C表面贴装芯片led提供三种颜色的保护二极管(RGB)。

ROHM Semiconductor BD800M5Wxxx-C Low Dropout (LDO)稳压器是线性稳压器，设计用于汽车应用电源的低电流消耗产品。这些器件设计为高达45V的绝对最大电压，并在低17μA(典型)电流消耗的输出电流中...

为工业使用提供长期支持。

ROHM Semiconductor的7引脚SiC mosfet可以切换更快，从而降低了开关损耗

支持40V或60V耐压，低导通电阻Nch+Pch mosfet在一个小TSMT8封装。

近红外表面贴装芯片LED，采用透明无色树脂封装的AlGaAs。