功能两个6毫欧 1200V SiC MOSFET开关和一个热敏电阻在一个F2封装。

36V同步降压DC/DC变换器集成电路。

合并开关操作所需的两个驱动晶体管。

第五代沟槽igbt具有方形反向偏置安全工作区域和650V击穿电压。

一个完整的节点到云平台，为物联网应用提供智能图像捕捉。

提供400W HPA匹配到50欧姆的输入和输出端口。

提供高效率、高增益和广阔的带宽能力。

设计用于评估CGHV35400F 400W 2.9GHz至3.5GHz HEMT用于s波段雷达放大器应用。

基于AXM0F343超低功耗无线SoC的256KB版本的915MHz开发平台。