据Digitimes Research报道，三星显示（SDC）和LG Display（LGD）的6代及以下工艺的柔性OLED面板的总产能预计将在2019年第四季度同比增长22.2%，这要归功于这些韩国制造商分别在牙山A4和坡州P9-6E线上的产能增长。

存储器制造厂华邦电昨天宣布推出整合单层式储存型快闪存储器(SLC NAND Flash)与低功耗的LPDDR4的多芯片封装产品，抢攻5G终端设备市场。

6月18日，台积电在上海举办了2019中国技术论坛（TSMC2019 Technology Symposium）。台积电总裁魏家哲介绍了先进工艺的发展规划。

电竞NB曾经被视为NB救世主，然历经2年风潮，显然救世主也无力挽回NB产业成熟的疲态。多家品牌厂指出，电竞NB前2年出货倍增动能消失，预估2019年成长幅度降至10%，各家正将目光转向轻薄NB，评估相较于电竞NB的小众化，轻薄NB更具长期发展潜力，此外，英特尔力推的折叠NB，也被视为潜在新动能。

6月17日，国内微电子化学品厂商晶瑞股份发布公告，公司拟在湖北省潜江市投资建设微电子材料项目，项目总投资15.2亿元。

三极管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。

自从30多年前首次推出以来，MOSFET已经成为高频开关电源转换的主流。该技术一直在稳步改进，目前我们已经拥有了对于毫欧姆RDSON值的低电压MOSFET。对于较高电压的器件，它正快速接近一位数字。实现这些改进的两个主要MOSFET技术进展是沟槽栅极和电荷平衡结构[1]。

近期，大唐电信在半导体方面动作频频。其公告显示，为进一步落实该公司在集成电路领域的产业布局，拟将持有的大唐恩智浦半导体有限公司51%股权全部转让给其全资子公司大唐半导体设计有限公司（简称“大唐半导体”），转让对价8009.04万元。

据外媒最新报道称，AMD预计今年11月份推出新一代Ryzen移动芯片，在7nm工艺制程加持下，性能提升的同时，功耗被控制在一个合理的水平上。

据Calcalist周一援引参加会议的承包商报道。美国科技巨头英特尔公司日前约见了工程承包商，并对他们说了其推迟在以色列建立新的半导体工厂计划的决定。其中一位承包商表示他们被告知延迟时间为半年到一年，但没有确定工作开始的日期。

据路透社报道，上周五，博通将今年的营收预期下调了20亿美元。

6月17日晚间，北京耐威科技股份有限公司（以下简称“耐威科技”）发布公告称将参与北京集成电路先进制造和高端装备股权投资基金中心（有限合伙）（以下简称“北京集成电路基金”）。