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以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。SiC器件具有极高的耐压水平和能量密度,可有效降低能量转化损耗和装置的体积重量,满足电力传输、机车索引、新能源汽车、现代国防武器装备等重大战略领域对高性能、大功率电力电子器件的迫切需求。
罗姆(ROHM)宣布与Venturi电动方程式赛车车队(Venturi Formula E Team),缔结为期3年的技术伙伴契约,该车队长期参与FIA电动方程式赛车锦标赛。自10月开幕的第3季起,罗姆将提供功率半导体元件--碳化硅(SiC)功率元件,运用在赛车马力核心的变流器中,协助赛车小型化、...
onsemi的NTBG070N120M3S 1200V M3S SiC mosfet是为速度而设计的,由于采用平面技术,可以摆脱负栅极电压和栅极尖峰。
意法半导体的新双管配置碳化硅(SiC)肖特基二极管是市场上同类产品中首款每只管子额定电压650V且共阴极或串联配置的整流二极管,可用于交错式或无桥型功率因数校正(PFC)电路。...
NTHL015N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET是一个12欧姆,650V MOSFET封装在TO-247-3L封装中。
东芝半导体与储存产品公司,近期发表第二代650V碳化硅(SiC)萧特基位障二极体(SBDs),该产品提升了公司现行产品的涌浪顺向电流(IFSM)约70%。8个碳化硅萧特基位障二极体的新产品线也即将出货。此款碳化硅萧特基位障二极体,採用东芝第二代碳化硅的製程製造,相较第一代产品,提升了70%的涌浪顺...
Wolfspeed的WolfPACK SiC电源模块为快速设计实现、可扩展性和更低的组装开销提供了出色的解决方案。
在工业标准封装中,以低姿态设计实现高系统功率密度。
汽车市场正在向环保、安全、舒适三个方向不断前进。有消息说,法国、英国计划从2040年开始全面禁止销售化石燃料动力汽车,姑且不去讨论消息是否可靠,但就我们每天生活的城市,以北京为例,2016年北京空气质量达标天数198天,换句话说剩下的那168天,你们懂得。
致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布提供新一代工业温度碳化硅(silicon carbide,SiC)标准功率模块,它们...
GT Advanced Technologies今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术,能生产出高品质的半导体SiC晶体块,可最终制成最大直径为100毫米的芯片。 在其初步阶段,SiClone100主要针对本身已经拥有热场、合格的...
半导体世界可能会有一个新的参与者,它以氧化镓技术的形式出现。
实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.今天宣布,推出一款全新的非对称型 Doherty 放大器---QPD2731,有助于客户在设计无线基站设备的过程中实现超高功效。该新一代碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)解决方案在单个封装中采用两个晶体管,可最大限度提高线性度、效率和增...
效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低:这是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。在纽伦堡2017年PCIM展会上,英飞凌展出了1200 V CoolSiC MOSFET产品系列的其他模块...
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