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在优化系统效率的同时,降低了开关损耗和门环。
以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。SiC器件具有极高的耐压水平和能量密度,可有效降低能量转化损耗和装置的体积重量,满足电力传输、机车索引、新能源汽车、现代国防武器装备等重大战略领域对高性能、大功率电力电子器件的迫切需求。
意法半导体的新双管配置碳化硅(SiC)肖特基二极管是市场上同类产品中首款每只管子额定电压650V且共阴极或串联配置的整流二极管,可用于交错式或无桥型功率因数校正(PFC)电路。...
Vishay的Gen 3 650 V碳化硅肖特基二极管采用合并PIN肖特基(MPS)设计。
凭借Wolfspeed公司生产的碳化硅肖特基势垒二极管的性能优势,电力电子系统有望达到比硅基解决方案更高的效率标准,同时达到更高的频率和功率密度。
ROHM Semiconductor第四代n通道碳化硅(SiC)功率mosfet提供低导通电阻,改善了短路耐受时间。
NTHL060N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET提供优越的开关性能和更高的可靠性。
Pulse Electronics的PM9595是一款国际汽车任务组(IATF)高频反激变压器,专为SiC器件开关而设计。
Littelfuse, Inc.,作为全球电路保护领域的领先企业,今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管,以配合2017年欧洲电力转换与智能运动(PCIM)展的开幕。 这种碳化硅二极管是通过Littelfuse与Monolith Semiconductor合作技术平台开...
碳化硅功率器件的市场领先者科锐公司(Nasdaq: CREE)将重新界定大功率应用的性能和能效,推出全新产品系列 — 50A碳化硅功率器件。该产品系列不仅包括业界首款1700V Z-FET?碳化硅 MOSFE...
作为第三代半导体材料,碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、临界击穿场强高、热导率高等优点,是制作高压、大功率半导体器件的理想材料。
全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS)发布首个1200V碳化硅(SiC)二极管 ——FFSH40120ADN,纳入即将推出的SiC解决方案系列。1200V二极管凭借卓越的开关性能、更高的可靠性和较低的电磁干扰(EMI),成为下一代光伏逆变器、工业电机...
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