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Pulse Electronics的PM9595是一款国际汽车任务组(IATF)高频反激变压器,专为SiC器件开关而设计。
罗姆的第四代碳化硅mosfet旨在为苛刻的应用提供无与伦比的效率和性能。
ROHM Semiconductor第四代n通道碳化硅(SiC)功率mosfet提供低导通电阻,改善了短路耐受时间。
与硅相比,提供卓越开关性能和更高可靠性的技术。
碳化硅功率器件的市场领先者科锐公司(Nasdaq: CREE)将重新界定大功率应用的性能和能效,推出全新产品系列 — 50A碳化硅功率器件。该产品系列不仅包括业界首款1700V Z-FET?碳化硅 MOSFE...
作为第三代半导体材料,碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、临界击穿场强高、热导率高等优点,是制作高压、大功率半导体器件的理想材料。
全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS)发布首个1200V碳化硅(SiC)二极管 ——FFSH40120ADN,纳入即将推出的SiC解决方案系列。1200V二极管凭借卓越的开关性能、更高的可靠性和较低的电磁干扰(EMI),成为下一代光伏逆变器、工业电机...
安派瑞的碳化硅mosfet具有非常快速和坚固的本禀体二极管,具有低正向电压。
EliteSiC 25毫欧, 650V mosfet,提供卓越的开关性能。
NTH4L060N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET提供优越的开关性能和更高的可靠性。
Vishay的Gen 3 650 V碳化硅肖特基二极管采用合并PIN肖特基(MPS)设计。
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation)和全球领先的高性能模拟技术提供商Analog Devices公司宣布推出可扩展碳化硅(SiC)驱动器参考设计解决方案,其基础为美高森美的一系列碳化硅MOSFET产品和A...
在优化系统效率的同时,降低了开关损耗和门环。
碳化硅(SiC)功率器件的市场领先者科锐公司日前宣布推出支持业界首款用于碳化硅MOSFET功率器件且符合全面认证的SPICE模型。新型SPICE模型能够帮助电路设计人员轻松地进行效益评估。与同级别的传统硅功率开关器...
Bourns的BSD系列SiC sdd专为需要增加峰值正向浪涌能力的高频和大电流应用而设计。
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