瑞萨电子Renesas的新款RV1S92xxA/22xxA的8.2mm光电耦合器是含有发光二极管的光耦合隔离器。外壳非常小和薄，爬电距离长(8.2mm)。该产品适用于各种需要表面安装和高密度安装的接口电路。

Arm最近宣布对其人工智能（AI）平台进行重大补充，其中包括新的机器学习（ML）IP，Arm Cortex-M55处理器和Arm Ethos-U55 NPU（业界第一个用于Cortex-M的microNPU（神经处理单元），设计为微控制器提供ML性能的480倍联合飞跃。

来自澳大利亚新南威尔士大学的一组工程师最近发现了一种新的方法来制造更稳定的量子芯片。通过增加人工产生的原子在硅芯片上的稳定性来完成。这导致产生更一致的量子量子比特或比特。

麻省理工学院的工程师团队最近开发了一种工艺，该工艺可能成为可拉伸电子产品的关键。他们终于找到了一种方法来克服位于所有电子设备核心中的计算机芯片的刚性。目的是制造灵活的，多功能的电子设备。

英特尔实验室最近在旧金山的2020国际固态电路会议上发布了一份研究论文，该论文讨论了英特尔新型超低温量子控制芯片Horse Ridge的主要技术方面。

英飞凌科技股份公司Infineon通过应对现代电源管理设计的挑战，着重于组件级增强的系统创新。Source Down是一种新的行业标准包装概念。在这种新封装中推出的第一波功率MOSFET是 3.3×3.3 mm PQFN的 OptiMOS 25V。

德州仪器（TI）推出了业界首款零漂移霍尔效应电流传感器。TMCS1100和TMCS1101在时间和温度范围内具有最低的漂移和最高的精度，同时提供可靠的3kVrms隔离-这对于交流或直流高压系统（如工业电机驱动器，太阳能逆变器，储能设备和电源。

施耐德电气，能源管理和自动化的数字化改造全球专家宣布的PowerLogic ION9000系列电能表范围与的PowerLogic ION9000T的扩张。新型ION9000T基于PowerLogic平台，增加了高速瞬态捕获功能，可帮助关键设施避免停机，设备损坏，故障和操作中断。

来自伦敦联合学院和中国科学院的研究人员团队最近取得了有趣的突破。他们能够提出一种可弯曲的石墨烯超级电容器，该超级电容器以极快的速度充电并安全地存储大量能量。

Vishay Intertechnology，Inc .在6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8单个单元中推出了新型80 V TrenchFET Gen IV n-channel功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP旨在通过提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率来节省能源，具有 129mΩ的 同类最佳的导通电阻乘以栅极电荷-功率转换应用中MOSFET的关键品质因数（FOM）。 * nC。

德州仪器（TI）TPSM5360x电源模块是具有36V输入的高度集成的2A（TPSM53602），3A（TPSM53603）或4A（TPSM53604）电源解决方案。每款器件均采用热增强型QFN封装，将降压型DC / DC转换器与功率MOSFET，屏蔽电感器和无源器件结合在一起。

ADI公司的新型AD-FMCLIDAR1-EBZ是与FMC兼容的模块化硬件平台，用于LIDAR原型制作。它具有灵活性，可以简化LIDAR开发的复杂性，满足个性化设计需求并缩短上市时间。

ADI公司的ADT7422是一种高精度数字 2C温度传感器，设计用于在焊接到最终印刷电路板（PCB）时符合ASTM E1112标准的临床测温规范。ADT7422包含一个内部带隙基准电压源，一个温度传感器和一个精密模数转换器（ADC）。ADT7422提供16位温度结果，分辨率为0.0078°C，在25°至50°C的温度范围内的精度高达±0.10°C，无需在PCB焊接后进行校准。