我们知道，近年来内存价格上涨，让内存大厂三星赚得盆满钵满。而近段时间来内存价格有下降的趋势，但把利润摆在第一位的三星想扭转内存价格下滑的趋势，明年将对内存减少投资，以让内存处于供给相对紧张的局面，来维持内存的高价。

dram今年第一季度价格跌幅从原先预估的下跌20～25%，扩大到了30%左右，是2011年以来单季最大跌幅。预计第2季度价格仍将逐月走低，整季跌幅将逼近25%。

据市调机构DRAMeXchange公布的调查报告指，今年以来DRAM内存价格大幅下跌，其估算一季度的跌幅从预期的25％扩大至30％，这对于依靠存储芯片取得了全球半导体老大位置的三星来说显然不是好消息。

据三星电子官网消息，作为先进存储器技术的全球领导者，三星电子今(21)日宣布第三代10纳米级(1z-nm)8GB超高性能和高功效的DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)。自开始批量生产第二代10nm级(1y-nm)8GbDDR4以

IC Insights最新报告指出，在经历了2017和2018年的巨额支出后，DRAM资本支出将在今年暴跌28％

华强旗舰-一站式电子元器件交易平台了解到：近期台积电技术长孙元成在其自家技术论坛中，首次揭露台积电研发多年的eMRAM（嵌入式磁阻式随机存取存储）和eRRAM(嵌入式电阻式存储器)将分别订于明后年进行风险性试产。预计试产主要采用22nm工艺。这种次世代存储将能够为物联网、行动装置、高速运算电脑和智能汽车等四领域所提供效能更快和耗电更低的存储效能。台积电此举让嵌入式存储器再度回到人们的视线中。

利基型存储器厂华邦电14日召开股东会，总经理詹东义表示，今年希望对主要客户的渗透率持续成长，自行开发的20纳米制程DRAM技术将于明年底到位，未来将在高雄新厂投产。

GSI技术低延迟dram是高级数据网络应用的理想选择，具有低随机周期时间和八银行存储阵列架构。该设备具有双重数据速率传输的性能无法与普通DRAM匹配。它的类似sram的地址接口使它更容易使用，并使设备在网络任务中保持接近100%的总线利用率...

适用于需要Flash和自刷新DRAM的系统。

就在台积电与三星在逻辑芯片制程技术逐渐导入EUV技术之后，存储器产业也将追随。

虽然全球DRAM供应短缺的问题正得到逐步缓解，但供需之间仍存在充足的缺口——至少能够让各芯片制造商继续迎来创纪录的营收总值。根据DRAMeXchange发布的统计结果，PC、智能手机、服务器及其它DRAM组件销售额在2017年第二季度达到165亿美元。尽管发言人表示无法立即作出明确比较，但根据粗略计算来看，本季度营收较2016年上半年估算数据实现了73%的同比增幅。

Alliance Memory Pseudo SRAM采用DRAM类型的内存单元，具有免刷新操作和极低功耗技术。该接口与低功耗异步型SRAM兼容。这些设备是工业标准闪存控制接口的变种，具有多路地址/数据总线。多路地址和数据功能极大地减少了所...