EMD3D256M08/16B dram是非易失性256Mb DDR3自旋传递转矩磁阻随机存取存储器(MRAM)，最大时钟频率667MHz。这些dram在DDR3速度下具有不波动性和高持久性。DDR3 STT-MRAM是一个高速MRAM内部...

根据集邦咨询半导体研究中心的介绍，2018年第四季度内存市场提前进入淡季，供货商当中以美光降价幅度最大，预计2018年第四季开始到2019年上半年的DRAM价格跌势恐怕将延续四个季度以上。

存储器在连续两年走高之际，开始掉头释放出下探信号。

三星电子14日表示，将批量生产史上最大容量的移动式DRAM“12GB LPDDR4X”（Low Power Double Data Rate 4X）。

因国内目前没有任何大规模NAND闪存和DRAM内存工厂，去年我国进口2600多亿美元的集成电路芯片，其中存储芯片就占了886亿美元，是国内进口最多、也是对进口依赖最高的。

近日，威刚董事长陈立白指出，长期来说，因为存储器已经跌到个低点，预计将陆续出现反弹的情况下，2019年下半年在DRAM方面有机会出现止跌的情况。但是，NAND Flash目前供需比较复杂的情况下，要出现止跌还必须等上一段时间。

存储器价格不断走跌，DRAM现货价格跌至3美元出头，三星电子零售用标准型8GB DRAM更首次跌破3万韩元，韩媒《朝鲜日报》指出，存储器价格的跌势，可能冲击三星电子、SK海力士的营收。

GSI技术低延迟dram是高级数据网络应用的理想选择，具有低随机周期时间和八银行存储阵列架构。该设备具有双重数据速率传输的性能无法与普通DRAM匹配。它的类似sram的地址接口使它更容易使用，并使设备在网络任务中保持接近100%的总线利用率...

适用于需要Flash和自刷新DRAM的系统。

就在台积电与三星在逻辑芯片制程技术逐渐导入EUV技术之后，存储器产业也将追随。

据韩国《中央日报》2日报道，4月1日韩国产业通商资源部的数据显示，上月韩国出口同比减少8.2%，只有471.1亿美元，连续4个月呈现减少趋势。

金士顿的DDR4 DRAM组件是为满足嵌入式设备的需求而设计的，并提供了低电压变体，以降低功耗。