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赛普拉斯半导体S27KS064x HyperRAM 2.0自刷新dram是用于需要扩展内存的高性能嵌入式系统的高速和低引脚计数dram。这些HyperRAM 2.0内存提供了HyperBus和八进制SPI接口,利用了并行和串行接口内存的遗留...
Alliance Memory Pseudo SRAM采用DRAM类型的内存单元,具有免刷新操作和极低功耗技术。该接口与低功耗异步型SRAM兼容。这些设备是工业标准闪存控制接口的变种,具有多路地址/数据总线。多路地址和数据功能极大地减少了所...
金士顿的DDR4 DRAM组件是为满足嵌入式设备的需求而设计的,并提供了低电压变体,以降低功耗。
三星已将下一代嵌入式半导体存储器产品MRAM纳入生产制造范畴,并在韩国器兴厂区率先进入大规模生产。MRAM号称是“次世代记忆体”,是继半导体存储器DRAM和NAND Flash之后又一划时代的创新存储器。
就在台积电与三星在逻辑芯片制程技术逐渐导入EUV技术之后,存储器产业也将追随。
在市场NAND Flash快闪存储器供应仍有缺口,导致价格继续维持高位的情况下,包括国际大厂三星、SK海力士、东芝,以及中国厂商长江存储存纷纷宣布扩产以增加产能之际,7日美商存储器大厂美光(Micron)也宣布扩产,以补足市场供不应求的缺口。
ADATA ADATA的DDR4/DDR5内存模块采用高品质原装ic,具有5G、AIoT、边缘服务器和自动化升级的高速性能。
GSI技术低延迟dram是高级数据网络应用的理想选择,具有低随机周期时间和八银行存储阵列架构。该设备具有双重数据速率传输的性能无法与普通DRAM匹配。它的类似sram的地址接口使它更容易使用,并使设备在网络任务中保持接近100%的总线利用率...
DRAM内存商用已历经50年,NAND Flash闪存面世也已经有30年,从最初的群雄并举演化到当前的寡头格局,地域上也可分出韩国、美日、和中国台湾这3个梯队;以长江存储、长鑫、晋华和紫光DRAM项目为主的中国新晋力量受到广泛关注。
内存现在是经历了价格疯涨又暴跌的局势,未来前景充满了不确定性。据报道,内存价格已经连续四个月走低,渠道需求和出货量越来越差,基本上都陷入了亏损状态。
据韩国《中央日报》2日报道,4月1日韩国产业通商资源部的数据显示,上月韩国出口同比减少8.2%,只有471.1亿美元,连续4个月呈现减少趋势。
近日,威刚董事长陈立白指出,长期来说,因为存储器已经跌到个低点,预计将陆续出现反弹的情况下,2019年下半年在DRAM方面有机会出现止跌的情况。但是,NAND Flash目前供需比较复杂的情况下,要出现止跌还必须等上一段时间。
Mikroe DRAM Click在紧凑型扩展板上提供动态随机访问内存解决方案。
存储器在连续两年走高之际,开始掉头释放出下探信号。
自2018年下半年起,智能手机市场需求疲软,挖矿热减退,未来市场充满不确定性,各大厂商纷纷开始调节库存,此趋势一直延续到今年。
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