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根据集邦咨询半导体研究中心的介绍,2018年第四季度内存市场提前进入淡季,供货商当中以美光降价幅度最大,预计2018年第四季开始到2019年上半年的DRAM价格跌势恐怕将延续四个季度以上。
因国内目前没有任何大规模NAND闪存和DRAM内存工厂,去年我国进口2600多亿美元的集成电路芯片,其中存储芯片就占了886亿美元,是国内进口最多、也是对进口依赖最高的。
DRAMeXchange之前给出报告称,DRAM跌价幅度超过预期,创8年以来最大跌幅,而在存储芯片市场,三星、SK海力士和美光三大巨头的市场占有率超过90%。
EMD3D256M08/16B dram是非易失性256Mb DDR3自旋传递转矩磁阻随机存取存储器(MRAM),最大时钟频率667MHz。这些dram在DDR3速度下具有不波动性和高持久性。DDR3 STT-MRAM是一个高速MRAM内部...
存储器价格不断走跌,DRAM现货价格跌至3美元出头,三星电子零售用标准型8GB DRAM更首次跌破3万韩元,韩媒《朝鲜日报》指出,存储器价格的跌势,可能冲击三星电子、SK海力士的营收。
2019年上半DRAM价格下跌压力沉重,尽管上游产能调节以及传统旺季拉货需求逐渐回升,预料将有望支撑跌价趋缓,为了提高生产效益及拉大竞争差距,DRAM大厂竞相推进下一代制程技术。
三星电子14日表示,将批量生产史上最大容量的移动式DRAM“12GB LPDDR4X”(Low Power Double Data Rate 4X)。
6月30日深夜11时许,紫光集团官宣,组建DRAM事业群,委任刁石京为DRAM事业群董事长、高启全为CEO。
三星电子高层金奇南 (Kim Ki-nam)9月12日表示,预计今年年底前对DRAM芯片需求不会有变。
封测厂南茂第二季每股盈余0.38元(新台币,下同),上半年税后净利27.01亿元,年增3.07倍,每股盈余3.2元;展望营运后市,董事长郑世杰表示,预期标准型DRAM的外包分配比例将会持续下降,利基型DRAM与NOR Flash的需求强劲、混合讯号感测器等新产品,将会在今年的下半年,为南茂带来多面向的业务成长。
根据行业估计,预计全球DRAM市场的数量将在2018年达到峰值,达到1040亿美元,然后在2019年和2020年分别下降1.8%及2.6%。同时,汽车应用将逐步取代智能手机领域,成为内存使用率最大的市场。
“2017年DRAM价格涨幅将达到39%”,ICInsights在2017年第三季度做出预计。当下,以DRAM为代表的半导体存储器在全球范围内掀起涨价潮。
近两年以来,全球内存芯片市场价格持续飙升,多次刷新了行业认知。其中,DRAM内存涨价现象尤为明显。除了上游产能不足之外,下游市场的旺盛需求也是最大的推动因素
第二季半导体生产链库存去化近尾声,随着新款个人电脑、智能手机、消费性电子、物联网等应用需求逐步回稳及开始进入传统旺季,DRAM市场需求同步回升,而且在装置搭载容量提升情况下,第二季DRAM价格跌幅明显缩小,第三季价格跌幅将再降至10%以下,法人看好南亚科营运最坏情况已过。
明年,至少两家中国集成电路供应商(睿力集成电路和晋华集成电路)将进入DRAM市场。
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