ISSI提供其IS43LD16640C/32320C LPDDR2 dram在134-ball BGA和168-ball PoP BGA封装

存储器产业今年支出可能骤降45%，国际半导体产业协会(SEMI)预期，恐将连带影响今年全球晶圆厂设备支出滑落至484亿美元，减少19%。

本应该是旺季的Q4，DRAM芯片和NAND Flash芯片的合约采购价均呈现疲软的态势。

继三星和美光之后，韩国存储器大厂SK海力士也决定放缓大陆无锡DRAM新厂原订每月高达18万片产能的增产脚步。

我们关注到内存芯片价格已经暴跌了近三成了，曾经的高收益或将一去不复返了，内存芯片巨头的布局却没有减少，还在纷纷地扩大产能，不过其中的旗舰企业其实也在悄然的转型，布局更加高工艺的产品，比如7nm、5nm技术等等。

DRAMeXchange发布的数据显示，截至今年9月，韩企在DRAM市场的份额已经达到74.6%，三星占45.5%，SK海力士占29.1%，全球第三大厂商是来自美国的镁光，占比为21.1%。

全球DRAM产业发展至今数十年，制程技术授权的过往历史不断上演，全球大厂在技术演进与产能扩充之间相互生死搏斗，砸下庞大资金却不堪竞争而黯然退场的业者更不胜枚举。

受库存过高影响，DRAM第一季合约价跌幅持续扩大，整体均价已下跌逾20%。然而价格加速下跌并未刺激需求回温，预计在库存尚未去化完成的影响下，DRAM均价跌势恐将持续至第三季。

金士顿科技用于嵌入式应用的c-Temp和i-Temp DDR3/DDR3L DRAM提供了低电压选项，可降低功耗。

DRAM和NAND芯片的平均售价(ASP)将在今年第四季度持续下跌。该公司还预计，2019年这两类产品的平均售价与今年相比，也将会有大幅下降。

本文透过对于静态随机存取内存(SRAM)单元缩减布局面积的研究，提出一种新的 存取技术 ，可望提升动态随机存取内存( DRAM )单元的访问速度。 超频与内存的关联性 提升供应电压以及降低环境温度有助于增加微处理器、芯片组、主存储器的频率频率。