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利用半前沿专有工艺技术。
TinyLogic 超高速系列中的双无缓冲逆变器。
超低电容保护电压敏感元件免受ESD和瞬态电压的影响。
60V, 9.2毫欧和50A单n沟道MOSFET采用紧凑高效的设计。
适用于云电源、5G电信、其他PSU应用、DC/DC和工业应用。
onsemi的NCV59801线性稳压器的超低噪声确保了原始信号的完整性,这是音频应用和精密测量的理想选择。
基于64KB版本的AXM0F343超低功耗无线SoC的开发平台。
安森美半导体 NXH010P90MNF1 SiC模块在F1模块中包含一个10mΩ 900V SiC MOSFET半桥和一个NTC 热敏电阻。该模块的推荐栅极电压为15V至18V。
单片偏置网络设计用于取代单个器件及其外部电阻偏置网络。
具有卓越特性的高性能设备。
用MII访问NCN26000 10BASE-T1S物理设备的PCB设计。
汽车,高性能单侧直接冷却三相6包模块,750V和950A。
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onsemi的FUSB15200的DRP技术可以让设备在提供和接收电力之间无缝切换,使其成为终极充电变色龙。
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