具有紧凑的设计与5mm x 6mm的足迹。

设计用于防止过流、过压、短路和过大的涌流。

具有低RDS(on)，门阈值和输入电容。

维也纳SiC模块，2个10mohm 900V SiC MOSFET开关。

超低功耗，安全，高性能闪存蓝牙 低能耗5.2微控制器。

高性能双缓冲器，开路漏极输出从1.65V到5.5V供电。

onsemi的NVBG EliteSiC mosfet以较小的封装尺寸提供高速开关和低电容。

专为高速开关应用，电路保护，电压箝位。

针对快速开关应用优化的1200V M3S平面SiC MOSFET。

这些设备具有64字节或128字节的页面写入缓冲区，并支持SPI协议。

onsemi的NTMFWS1D5N08X 80 V MOSFET具有坚固性和强大的美国额定值，以坚定不移的可靠性应对快速开关挑战。

1对2解码器/解复用器，适用于各种应用中的低功耗解码。

交错，两相PFC控制器设计的临界传导模式在重负载条件下。

onsemi的NCP1618高压多模功率因数控制器从临界导通模式转换到连续导通模式，以优化线路/负载。