700V高侧和低侧驱动器，具有3.5A源和3A汇聚电流驱动能力。

onsemi的NTBG070N120M3S 1200V M3S SiC mosfet是为速度而设计的，由于采用平面技术，可以摆脱负栅极电压和栅极尖峰。

适合设计高性能离线电源转换器。

设计用于驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关的快速开关。

一种用于实现单端功率转换器拓扑结构的固定频率峰值电流模式器件。

NTHL015N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET是一个12欧姆，650V MOSFET封装在TO-247-3L封装中。

onsemi的M3S EliteSiC MOSFET具有优化的性能，可用于快速开关应用，最大限度地提高效率并最大限度地减少能量损失。

大电流，单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器与5kVrms内部电隔离。

输入隔离IGBT门驱动电源与汽车合格的NCV3064控制器。

具有温度无关开关和优异的热性能。

NCN5140S KNX系统包(SiP)的演示和开发平台。

1A VLDO配备NMOS通管和一个单独的偏置电源电压(VBIAS)。