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具有温度无关开关和优异的热性能。
1A VLDO配备NMOS通管和一个单独的偏置电源电压(VBIAS)。
采用硅栅CMOS技术制造。
集成功率mosfet,提供高效和紧凑的电源管理解决方案。
NTH4L060N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET提供优越的开关性能和更高的可靠性。
输入隔离IGBT门驱动电源与汽车合格的NCV3064控制器。
onsemi的NCS20164运算放大器工作在1.8 V至5.5 V的电源范围内,无缝集成到现有系统中,并开辟了新的可能性。
设计用于驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关的快速开关。
onsemi的M3S EliteSiC MOSFET具有优化的性能,可用于快速开关应用,最大限度地提高效率并最大限度地减少能量损失。
提供优越的开关性能和更高的可靠性比硅在TO-247-3LD封装。
onsemi的NV24C系列eeprom为各种应用提供可靠的数据存储解决方案。
AXM0F343包含onsemi的窄带AX5043射频收发器和QFN40包中的高性能Arm Cortex-M0+微控制器(MCU)。
onsemi的NCV6356提供多种操作模式,适用于汽车应用
Onsemi NCL30488B单级CC/CV PSR控制器是高PF单级恒流恒压PSR PWM控制器。
一种用于实现单端功率转换器拓扑结构的固定频率峰值电流模式器件。
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