​IXYS是Littelfuse技术公司的一家公司，使用电荷补偿原理和专利工艺技术开发了n通道超结X3级功率mosfet，这些超结mosfet提供了同类中最好的性能数据(通阻倍栅电荷)，这意味着最低的传导和开关损耗。

来自Littelfuse Technology公司IXYS的CPC3981Z n沟道耗尽型MOSFET，在SOT-223-2L中具有800 V阻断电压和3.3 mm爬电距离。

400V, 20A逻辑级igbt优化电感线圈驱动器，在紧凑的DPAK封装。

栅极驱动器设计用于驱动SiC mosfet和大功率igbt。

IXYS集成电路CPC1010N OptoMOS 继电器是一个250V, 170mA单极常开(1-Form-A)固态继电器，提供1500Vrms的输入输出隔离。光耦合输出由led控制，而MOSFET开关使用IXYS集成电路的专利OptoMO...

第五代沟槽igbt具有方形反向偏置安全工作区域和650V击穿电压。

IXYS CPC2907B 60V 2A双固态继电器(SSR)由两个独立的、光耦合的、双向MOSFET开关组成。这种常开(1-Form-A)双OptoMOS继电器在各种应用中提供了比离散单极继电器更紧凑的设计解决方案，通过将两个开关合并到单...

IXYS IX4超结功率mosfet是雪崩级，n通道增强模式mosfet，具有200V漏源击穿电压。

提供一流的优点，低导通和开关损耗

n沟道增强模式TO-263或TO-220封装mosfet的最大200V。漏源极电压。

IXYS IXTY和IXTP X2类功率MOSFET的额定击穿电压为600V，连续漏极电流为14A，电阻为250mΩ。这些MOSFET具有雪崩防护等级，并提供国际标准封装，高功率密度和低封装电感。

IXYS, Littelfuse 提供了它的CPC1010N继电器，扩展了它的小外置包SSRs

IXYS的门驱动程序为客户提供了一个通用的解决方案，使他们能够使用外部mosfet制造自己的固态继电器

具有650V漏源击穿电压和34A或48A连续漏源电流。