IXYS IXTY和IXTP X2类功率MOSFET的额定击穿电压为600V，连续漏极电流为14A，电阻为250mΩ。这些MOSFET具有雪崩防护等级，并提供国际标准封装，高功率密度和低封装电感。

来自IXYS的门驱动程序评估板，一种Littelfuse技术，分析SiC设计的系统级影响

IXYS/Littelfuse的特点是其高压、双通道、隔离门驱动器产品，为功率IGBT和MOSFET模块提供4 kV隔离

改进的温度和电源循环，DCB陶瓷ComPack封装，工业标准外形。

IXYS IX4超结功率mosfet是雪崩级，n通道增强模式mosfet，具有200V漏源击穿电压。

TO-268AA (D3PAK-HV)封装中的高性能、低损耗、软恢复单二极管。

IXYS的300 V x3级功率mosfet具有基准导通电阻和门电荷的优点

IXYS的IXTY2P50PA是一款符合aec - q101标准的PPAP， -500 V， -2 A, PolarP p通道增强模式功率MOSFET，采用TO-252 (DPAK)封装。

提供高静态dv/dt与低关断(tq)时间和高达20A的浪涌能力。

​IXYS是Littelfuse技术公司的一家公司，使用电荷补偿原理和专利工艺技术开发了n通道超结X3级功率mosfet，这些超结mosfet提供了同类中最好的性能数据(通阻倍栅电荷)，这意味着最低的传导和开关损耗。

来自Littelfuse Technology公司IXYS的CPC3981Z n沟道耗尽型MOSFET，在SOT-223-2L中具有800 V阻断电压和3.3 mm爬电距离。

额定电压为650V，电流范围为35A至220A，栅极电荷低。

IXYS的超快FRED二极管提供非常软的恢复行为，降低感应过电压

400V/450V, 18A逻辑级igbt优化电感线圈驱动器，在紧凑的DPAK封装。

采用V1-A-Pack封装的1600V三整流桥，提高了温度和功率循环。