栅极驱动器设计用于驱动SiC mosfet和大功率igbt。

第五代沟槽igbt具有方形反向偏置安全工作区域和650V击穿电压。

IXYS Corporation/Littelfuse的功率半导体产品线在当前额定值范围从36 A到300 A

IXYS CPC2907B 60V 2A双固态继电器(SSR)由两个独立的、光耦合的、双向MOSFET开关组成。这种常开(1-Form-A)双OptoMOS继电器在各种应用中提供了比离散单极继电器更紧凑的设计解决方案，通过将两个开关合并到单...

IXYS集成电路CPC1010N OptoMOS 继电器是一个250V, 170mA单极常开(1-Form-A)固态继电器，提供1500Vrms的输入输出隔离。光耦合输出由led控制，而MOSFET开关使用IXYS集成电路的专利OptoMO...

具有平面钝化芯片和直接铜键合ai2o3陶瓷线频。

IXYS集成电路CPC1705Y固态继电器(SSR)是一种直流开关，常闭固态继电器。该继电器采用光耦合MOSFET技术，提供2500V电压 (rms)输入输出隔离。CPC1705Y继电器输出由一个高效的MOSFET开关构成，利用OptoMO...

n沟道增强模式TO-263或TO-220封装mosfet的最大200V。漏源极电压。

IXYS的IXTY2P50PA是一款符合aec - q101标准的PPAP， -500 V， -2 A, PolarP p通道增强模式功率MOSFET，采用TO-252 (DPAK)封装。

改进的温度和电源循环，DCB陶瓷ComPack封装，工业标准外形。

提供一流的优点，低导通和开关损耗

TO-268AA (D3PAK-HV)封装中的高性能、低损耗、软恢复单二极管。

提供高静态dv/dt与低关断(tq)时间和高达20A的浪涌能力。

用于线频的双相腿晶闸管，采用工业标准TO-240AA封装。