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IXYS, Littelfuse 提供了它的CPC1010N继电器,扩展了它的小外置包SSRs
Littelfuse技术公司IXYS生产的电流受限/热管理固态继电器具有热管理功能,可提供功率交叉抗扰性
IXYS的门驱动程序为客户提供了一个通用的解决方案,使他们能够使用外部mosfet制造自己的固态继电器
来自IXYS的门驱动程序评估板,一种Littelfuse技术,分析SiC设计的系统级影响
IXYS IXTY和IXTP X2类功率MOSFET的额定击穿电压为600V,连续漏极电流为14A,电阻为250mΩ。这些MOSFET具有雪崩防护等级,并提供国际标准封装,高功率密度和低封装电感。
IXYS集成电路PLA172P OptoMOS 继电器是单极、常开(1-Form-A)固态继电器。它们使用光耦合MOSFET技术提供了5000V(rms)的增强输入输出隔离。PLA172P继电器的高压输出引脚之间的焊片到焊片间距超过6.8m...
IXYS的300 V x3级功率mosfet具有基准导通电阻和门电荷的优点
提供一流的优点,低导通和开关损耗
IXYS栅极驱动评估平台(GDEV)评估SiC功率mosfet和二极管在额定电压和额定电流下的连续工作。该模块在定义明确和优化的测试条件下比较不同的栅极驱动器解决方案的性能。IXYS GDEV提供了一组定义良好的测试条件和快速连接功能,以评...
IXYS Corporation/Littelfuse的功率半导体产品线在当前额定值范围从36 A到300 A
IXYS的x3级n通道mosfet提供低导通电阻[RDS(ON)]和栅电荷(Qg)
400V, 20A逻辑级igbt优化电感线圈驱动器,在紧凑的DPAK封装。
400V/450V, 18A逻辑级igbt优化电感线圈驱动器,在紧凑的DPAK封装。
3000V, 14A器件结合mosfet和igbt的强度。
IXYS的超快FRED二极管提供非常软的恢复行为,降低感应过电压
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