这些设备支持Standard (100kHz)， Fast (400kHz)和Fast- plus (1MHz) I2C协议。

提供-30V漏源电压，2.7毫欧 10V导通电阻和164A漏源/待机电流。

该器件是一种先进的高速CMOS 2输入与门，占地面积极小。

用于功率因数校正反激式和非隔离buck-boost和SEPIC转换器。

onsemi的30v至60v Trench6 n通道MOSFET先进PowerTrench 工艺采用了屏蔽栅技术

设计紧凑，高效的设计在一个5mm x 6mm的LFPAK封装。

通过模拟调光控制，可将调光范围降至1%。

有效地管理电源域与冲击电流限制和软启动。

onsemi的评估工具包允许用户充分利用Strata生态系统

onsemi的NCV7755八进制高侧驱动器适用于汽车车身和发动机控制等应用。

提供非隔离降压拓扑转换器，提供可调输出电压高达16V。

提供动力Trench 工艺和超低RDS(ON)双面冷却封装。

提供3.3V至68V的标准齐纳击穿电压范围。

onsemi的NTBG040N120M3S 1200 V M3S SiC MOSFET在18 V栅极驱动下实现峰值效率，并在15 V时保持令人满意的性能。