与硅相比，提供卓越开关性能和更高可靠性的技术。

专为汽车和工业电源应用。

提供169A连续漏极电流，3.1毫欧在10V RDS(ON)和100V漏极源电压。

6通道FLEXMOS 半桥MOSFET预驱动器，用于汽车电机控制应用。

onsemi NXH450B100H4Q2 Si/SiC混合模块包含两个1000V, 150A igbt，两个1200V, 30A SiC二极管，两个1600V, 30A旁路二极管和一个NTC热敏电阻。

温度传感器和SPD EEPROM，实现JEDEC TSE2004av DDR4规范。

提供卓越的开关性能，高可靠性/效率，降低EMI。

onsemi NCN26010XMNEVB评估板是NCN26010工业以太网收发器的演示和开发平台。NCN26010是一款10Mb/s的IEEE 802.3cg兼容器件，包括一个媒体访问控制器(MAC)、一个PLCA协调子层(RS)和一个10BASE-T1S PHY，专为工业多点以太网设计。

100V MOSFET，采用先进的PowerTrench 工艺与屏蔽栅技术设计。

设计为紧凑和高效的设计，包括高热性能。

这些smd具有超低饱和电压(VCE(sat))和高电流增益能力。

基于先进平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET。

onsemi的FGY100T120RWD和FGY75T120SWD采用新颖的场阻第七代(FS7) IGBT技术和TP247三引脚封装的Gen7二极管。

AEC-Q101合格，并使用坚固的现场停止VII堑壕结构。

Onsemi的反激式控制器有一个安静的跳跃模式，以管理电力传输，同时最小化噪音