安森美半导体FSA634UCX移动工业电源接口（MIPI）D-PHY开关是4数据通道单刀双掷（SPDT）开关。该开关经过优化，可在两个高速或低功率MIPI源之间进行切换。

安森美半导体SECO-NCP51530HB-GEVB应用子卡带有NCP51530高侧和低侧MOSFET驱动器以及两个不同的MOSFET封装（DFN5和WDFN8）。该子卡还提供许多测试点以获得最佳性能。

安森美半导体NTPF360N80S3Z N沟道的SuperFET III是一款高性能功率MOSFET的提议800V击穿电压。该SUPERFET针对反激式转换器的主开关进行了优化，可在不牺牲EMI性能的情况下降低开关损耗和降低外壳温度。

安森美半导体STR-SENSORS-GEVK传感器评估板是支持Strata的评估板，用于三个安森美半导体传感器。它评估了16个输入触摸和接近传感器LC717A10AR，环境光传感器LV0104CS和本地和远程温度传感器NCT72的性能。

安森美半导体NCP10970双路输出HV降压开关是辅助电源解决方案。NCP10970切换器针对微控制器单元或基于数字信号处理（DSP）的系统进行了优化。这些设备包括高压开关，线性稳压器和专用比较器电路。

安森美半导体NCL30160 1A LED驱动器评估板适用于使用Strata Developer Studio的NCL30160。NCL30160是用于大功率LED的NFET滞后降压恒流驱动器。

2018 年 3月 13 日 — 推动高能效创新的安森美半导体 （ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON）宣布推出X-Class图像传感器平台，使单一摄像机设计不仅能支持多种产品分辨率，还能支持不同的像素功能。

安森美半导体最近为其用于高压汽车牵引逆变器的全新VE-Trac电源模块系列推出了前两种器件。这两个电源集成模块（PIM）设备提供了领先的热和电性能。

2018年3月7日 – 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)推出全新的4300万像素（MP）分辨率的电荷耦合器件（CCD）图像传感器。

安森美半导体的AFGY100T65SPD和AFGY120T65SPD场截止沟槽IGBT符合AEC-Q101的要求，并且具有非常低的导通和开关损耗。这些功能可在各种应用中实现高效运行，稳定的瞬态可靠性和低EMI。

安森美半导体的FUSB302T带电源输出（有PD）的可编程USB Type-C控制器可实现USB Type-C检测，包括连接/分离和方向。

安森美半导体NTP5D0N15MC屏蔽栅的PowerTrench MOSFET是N沟道MOSFET，提供优化的开关性能。该MOSFET具有低反向恢复电荷（Q rr）和软二极管，可实现出色的低噪声开关。

安森美半导体NXH350N100H4Q2F2三级NPC Q2Pack模块是一个功率集成模块（PIM），包含一个I型NPC级。I型NPC级包括用于中性点钳位的100A，1200V SiC二极管，用于外部IGBT的350A，1000V IGBT和用于内部IGBT的400A，1000V IGBT。

安森美半导体电气隔离大电流栅极驱动器具有高瞬态和电磁抗扰性。NCx5700x是具有内部电流隔离的高电流单通道IGBT驱动器，旨在在大功率应用中提高系统效率和可靠性

安森美半导体NVMFS015N10MCL单N沟道功率MOSFET专为紧凑高效的设计而设计，包括高热性能。该MOSFET具有低漏-源电阻（R DS（on）），以最大程度地减小传导损耗，而栅极电荷（Q G）/电容低，以最大程度减少驱动器损耗。