安森美半导体NCL30486智能可调光恒流（CC）/恒压（CV）初级侧调节（PSR）控制器是高功率因数单级PWM控制器，用于反激/降压-升压/ sepic /升压拓扑。这些控制器以准谐振模式运行，以提供高效率。

安森美半导体的SECO-GDBB-GEVB栅极驱动器即插即用生态系统基板可比较不同栅极驱动器和技术的动态性能和功能。该套件有助于为最终应用选择最佳的栅极电阻（Rg）。

安森美半导体LC06511F电池保护IC是用于单节锂离子或锂聚合物电池的保护IC。这些IC提供高度准确的过充电，过放电和过电流保护。LC06511F IC通过高精度外部芯片电阻器检测电流，从而在整个温度范围内实现准确的电流检测。

安森美半导体AFGHL75T65SQ场截止沟槽IGBT结合了第四代IGBT技术和最佳性能。AFGHL75T65SQ场截止沟槽IGBT具有低导通损耗和开关损耗的特点，可在不需要反向恢复规格的各种应用中实现高效运行。

安森美半导体NTD360N80S3Z SuperFET III MOSFET用于回扫转换器，使更低的开关损耗和外壳温度的初级开关优化。该MOSFET内置一个齐纳二极管，可改善ESD能力。

安森美半导体NTMFS0D8N02P1E MOSFET采用先进的SO-8FL 5mm x 6mm封装，具有紧凑的设计，出色的热性能和较小的占位面积。

安森美半导体NTMFS015N10MCLT1G单N沟道功率MOSFET专为要求高热性能的紧凑高效设计而设计。该MOSFET具有低漏-源电阻（R DS（on））以最大程度地减小传导损耗，并提供低栅极电荷（Q G）和电容以最小化驱动器损耗。

安森美半导体SECO-NCD5700-GEVB应用子卡具有NCD5700大电流独立IGBT栅极驱动器和FODM217D单通道光电晶体管光电耦合器。该子卡还包括两个FODM611高抗扰度逻辑门输出光电耦合器和所有必要的驱动电路。

安森美半导体NVMFD6H846NL双N沟道功率MOSFET专为紧凑高效的设计而设计，包括高热性能。该MOSFET具有低R DS（on）的特性以最小化传导损耗，并具有低Q G /电容的特性以最小化驱动器损耗。

安森美半导体NTMFS3D6N10MCL单N沟道功率MOSFET专为提供高热性能的紧凑高效设计而设计。该MOSFET具有低漏-源电阻（R DS（on）），以最大程度地减小传导损耗，而低电容则可以最大程度地减小驱动器损耗。

安森美半导体FPF2495CUCX IntelliMAX 28V负载开关是一种高级负载管理开关，适用于需要高度集成解决方案的应用。FPF2495CUCX开关提供带有可调电流限制控制的过压保护（OVP）和过流保护（OCP）。

安森美半导体NVBLS4D0N15MC汽车用功率MOSFET具有低R DS（on），以最大程度地减小传导损耗，而低Q g /电容，以最大程度减少驱动器损耗。该MOSFET降低了开关损耗/电磁干扰（EMI）。

安森美半导体NTMFS011N15MC N沟道功率MOSFET是采用先进的PowerTrench产生结合了屏蔽栅极技术的过程。该MOSFET使用同类最佳的软体二极管将导通状态电阻降至最低，并维持卓越的开关性能

安森美半导体AFGHL75T65SQD场截止沟槽IGBT提供第四代高速IGBT技术。AFGHL75T65SQD已通过AEC-Q101认证，可为汽车应用中的硬开关和软开关拓扑提供最佳性能。