KEMET Electronics R52P AEC-Q200 X2薄膜电容器由金属化聚丙烯薄膜制成，并用自熄性树脂封装在符合UL 94 V-0要求的材料盒中。这些电容器专为恶劣环境而设计，并符合AEC–Q200认证要求。

德州仪器（TI）PFCLLCSREVM034交流至隔离式直流评估模块（EVM）用于评估UCC28056B，UCC25604和UCC24624器件。评估模块是168W AC / DC电源，具有过渡模式功率因数校正前端和具有同步整流功能的隔离式半桥LLC谐振转换器。

安森美半导体NVBLS4D0N15MC汽车用功率MOSFET具有低R DS（on），以最大程度地减小传导损耗，而低Q g /电容，以最大程度减少驱动器损耗。该MOSFET降低了开关损耗/电磁干扰（EMI）。

安森美半导体NTPF360N80S3Z N沟道的SuperFET III是一款高性能功率MOSFET的提议800V击穿电压。该SUPERFET针对反激式转换器的主开关进行了优化，可在不牺牲EMI性能的情况下降低开关损耗和降低外壳温度。

安森美半导体NTMFS015N15MC屏蔽栅的PowerTrench MOSFET是N沟道MOSFET，最小化的通态电阻和维持与最佳的类软体二极管优越的开关性能。与其他MOSFET相比，该MOSFET的Q rr更低。

与硅相比，安森美半导体的NVBG160N120SC1 160mΩ SiC MOSFET具有出色的开关性能和更高的可靠性。该MOSFET具有1200V的漏源电压（V DSS）和19.5A的最大漏电流（I D）。NVBG160N120SC1 MOSFET具有低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和栅极电荷。

ADI LT3967 LED照明驱动器是一种LED旁路开关器件，用于使用公共电流源使一串中的各个LED变暗。该LED驱动器有8个独立控制的浮动源15V /110mΩNMOS开关。

罗姆半导体LAPIS ML22660 4通道混合语音合成LSI（大规模集成）旨在为几乎所有应用轻松添加高质量的语音功能。ML22660具有HQ-ADPCM压缩技术，16位数模转换器（DAC）和可实现高音质的低通滤波器，以及集成的1.0W单声道扬声器放大器，可直接驱动扬声器。

罗姆半导体 LAPIS ML22Q6x 4通道语音合成LSI（大规模集成）旨在轻松地向几乎任何应用添加高质量的语音功能。ML22Q6x LSI集成了4MB至32MB闪存，非常适合诸如语音指导之类的长时间音频回放应用。

罗姆半导体LAPIS ML22Q53x 4通道语音合成LSI（大规模集成）旨在为几乎所有应用轻松添加高质量的语音功能。ML22Q53x LSI集成了内部闪存，并具有SPI和I 2 C接口。

ADI DC3042A演示板被设计来演示LTC3310，一个10A低电压同步降压型无声切换。该演示板工作在强制连续模式下，具有2MHz的开关频率，并可配置为脉冲跳跃模式和不同的开关频率。

ROHM RSB12 150mW齐纳二极管是超小型模具类型（EMD3或EMD6）的低电容保护器件。这些器件的齐纳电压范围为9.6V（最小）至14.4V（最大），I Z = 5mA。

安森美半导体NTMFS015N10MCLT1G单N沟道功率MOSFET专为要求高热性能的紧凑高效设计而设计。该MOSFET具有低漏-源电阻（R DS（on））以最大程度地减小传导损耗，并提供低栅极电荷（Q G）和电容以最小化驱动器损耗。