电子元器件产业互联网平台
一站式电子元器件采购平台
元器件移动商城,随时随地采购
半导体行业观察第一站!
专注电子产业链,坚持深度原创
电子元器件原材料采购信息平台
采用MDmesh K6技术设计的高电压n通道功率MOSFET。
导通电阻低,开关速度快。
在PowerPAK 1212-8W单包中提供TrenchFET 功率MOSFET技术。
采用低栅电荷(QG)和电容设计,使驱动器损耗最小化。
低导通电阻,封装在大功率小模具包装(TSMT6)。
PowerPAK 8 x 8封装提供第四代E系列技术。
以非常低的RDS x Qg优点数字(FOM)提高功率转换效率。
全保护单通道高侧驱动器切换负载。
无铅化电镀,低导通电阻,HSOP8小表面贴装封装。
PANJIT的屏蔽栅沟槽(SGT) MOSFET设计具有优秀的FOM质量,为砖型模块中的DC/DC变换器拓扑提供设计解决方案。
650V MOSFET具有低0.092欧姆漏源极导通电阻,是开关电源的理想器件。
高压功率MOSFET,设计为静态开关。
1200V漏源极电压,25毫欧至160毫欧电阻范围,14A至70A电流。
意法半导体公司的高压n通道功率MOSFET是MDmesh DM6快速恢复二极管系列的成员
欧姆龙电子G3VM-101HR2大电流MOSFET继电器采用6引脚SOP封装,实现低通电阻和高开关电容。MOSFET继电器实现16毫欧(通常)ON电阻,使控制3A(直流可能为6A)在100V,改善工作温度,并减少定时特性。理想的应用包括工业...
Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线:400-830-6691 粤ICP备05106676号 经营许可证:粤B2-20210308
登录
请问您是:
采购商 工程师 在校学生 其他
您希望看到什么内容:
电子资讯 技术文章 PDF资料 电子论文 其他