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意法半导体B-G431B-ESC1 Discovery Kit是基于STM32G431CB单片机、L6387驱动和STL180N6F7功率mosfet的。该套件由主电源板和嵌入ST-LINK/V2-1的子板组成。它是一种电子速度控制器(ES...
2018年元器件市场因供需失衡等原因,导致MLCC与MOSFET等部分产品型号价格波动异常, 2019年,受半导体市场需求减弱、库存调整及大陆产能开出等多因素影响,MLCC市场价格已经迎来了大幅回落,MOSFET是否紧随其后呢?
Allegro A6862设计用于控制mosfet,可将三相电机与控制系统断开或连接
安森美半导体NVMFD6H846NL双N沟道功率MOSFET专为紧凑高效的设计而设计,包括高热性能。该MOSFET具有低R DS(on)的特性以最小化传导损耗,并具有低Q G /电容的特性以最小化驱动器损耗。
英飞凌科技Infineon Technologies 650V CoolMOS CFD7 SJ功率MOSFET是超快二极管,扩展了CFD7系列的电压等级产品。功率MOSFET带有附加的50V击穿电压,集成的快速体二极管,改进的开关性能和出色的热性能。
大联大控股宣布,其旗下友尚推出ST MDmesh? M2系列的新款N-通道功率MOSFET---600V MDmesh M2 EP。该系列MOSFET能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费性电子产品电源提供业界最高能效的电源解决方案,在低负载条件下的节能效果特别显著,让设计人员能够开发更轻、更小...
威世半导体Vishay / Siliconix Si6423ADQ P通道20V MOSFET采用TSSOP-8封装,提供-20V的漏源电压和20mJ单脉冲雪崩能量等级。Si6423ADQ MOSFET具有单一配置设计,无卤素,符合RoHS要求,并经过100%R g和UIS测试。
东芝门驱动+ MOSFET用于5-24V线路电源MUX,用于电源多路复用,这是需要主电源有备用电源或在充电协议(如无线到USB)之间交换的应用程序的重要功能。
英飞凌科技集团 旗下的 IR HiRel 公司推出第一款採用专属 N 通道 R9 技术平台的抗辐射 MOSFET。相较于先前的技术,在尺寸、重量、功率上都更加精良。这对于如高传输量卫星系统的应用而言非常重要,可大幅降低其每位元价格比 (cost-per-bit-ratio)。这款 100 V、35...
易于安装AEC-Q101合格的MOSFET,具有低封装电感。
东芝的150 V n通道功率MOSFET TPH9R00CQH采用最新一代U-MOS X工艺,适用于工业设备的开关电源,包括部署在数据中心和通信基站的开关电源。
亚德诺半导体ADI的LTC 7060 100 V半桥0.8 欧姆下拉和1.5 欧姆上拉MOSFET驱动器允许使用大栅电容高压MOSFET。
东芝TW070J120B 1200V SiC N沟道MOSFET具有低(70mΩ)R DSon采用TO-3P(N)封装。这种新结构通过将SBD平行于电池内部的PN二极管放置来防止PN二极管通电。
安森美半导体NTMFS3D6N10MCL单N沟道功率MOSFET专为提供高热性能的紧凑高效设计而设计。该MOSFET具有低漏-源电阻(R DS(on)),以最大程度地减小传导损耗,而低电容则可以最大程度地减小驱动器损耗。
Solid State Devices,Inc.(SSDI)已通过新的SFC85N90系列扩展了其密封SiC MOSFET产品。SFC85N90是增强型N沟道SiC MOSFET。这些快速开关器件提供非常低的RDS(on),典型值仅为13mΩ,最大值为17mΩ(@ 50 A,25°C)。这些耐辐射的SiC MOSFET可以轻松替代传统的硅MOSFET,从而立即提高性能和效率。SFC85N90提供900伏的漏极-源极电压,因此它可以用作各种硅MOSFET(甚至低至100伏)的增强型直接替代产品。
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