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TrenchFET Gen IV功率MOSFET具有非常低的RDS x Qg优点数字(FOM)。
低导通电阻,封装在大功率小模具包(HUML2020L8)。
东芝SSM6L56FE硅P / N沟道MOSFET专为高速开关而设计。SSM6L56FE MOSFET具有1.5V驱动和低漏源导通电阻。
采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)。
Coto科技的140系列具有高压1500v开关和高负载电流
英飞凌科技通过另一种电压等级补充其CoolSiC MOSFET产品。今年早些时候,该产品组合已增加了650V的电压,现在该公司利用其专有的沟槽半导体技术推出1700V的电压等级。最大化碳化硅(SiC)的强大物理特性,这确保了新型1700V表面贴装器件(SMD)具有可靠性以及低开关和传导损耗。所述CoolSiC 1700V的MOSFET在三相变换系统,例如马达驱动器,可再生能源,充电设施和HVDC系统靶向辅助电源。
MCC的超级结mosfet提供650 V或800 V的宽电压范围。
特点是低通电阻和封装在一个大功率小模具包。
Microchip的MIC4605自适应死区时间电路主动监测半桥输出,以尽量减少高侧和低侧MOSFET转换之间的时间。
mosfet具有低RDS(ON)、超低Qg和低Qg × RDS(ON),一个关键的优点(FOM)。
采用先进的动力槽工艺生产,并结合屏蔽栅技术。
MOSFET电源开关驱动器必须防止反向电池连接。对单二极管保护进行了改进。
威世半导体Vishay / Siliconix SQJB汽车MOSFET是双N沟道TrenchFET功率MOSFET。这些经过AEC-Q101认证的MOSFET已通过100%Rg耐压测试和未钳位电感开关(UIS)
英飞凌科技股份公司为其CoolSiC MOSFET 1200 V模块系列增加了另一种行业标准封装。久经考验的62 mm器件采用半桥拓扑设计,并基于沟槽芯片技术。它为250 kW起的中等功率范围的应用打开了碳化硅的应用-硅通过IGBT技术达到功率密度的极限。与62 mm IGBT模块相比,现在的应用范围还包括太阳能, 服务器, 储能, 电动汽车充电器, 牵引,商用感应烹饪和电源转换系统。
全球知名半导体制造商ROHM面向引擎ECU*1为首的电子化日益普及的各种车载应用,开发出符合AEC-Q101*2标准的超小型MOSFET“AG009DGQ3”。“AG009DGQ3”是实现高可靠性安装、且安装面积可比以往产品减少达64%的产品。本产品采用ROHM独有的引脚结构,扩大封装的引脚宽度,...
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